- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
WEBonsemi NTH4L028N170M1 1700V EliteSiC MOSFET provides reliable, high-efficiency performance for energy infrastructure and industrial drive applications. The onsemi …
به خواندن ادامه دهید
WEBدانلود و دریافت مقاله ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی: بررسی مزایا، چالش ها و کاربردها ... با توجه به نیاز روز افزون افزایشی به تراشه هایی با ابعاد کوچکتر استفاده از ترانزیستورها در ...
به خواندن ادامه دهید
WEBپژوهش ها نشان میدهند که استفاده از این ماده به عنوان ماده ی کانال در ترانزیستورهای اثر میدانی منجر به بهبود عملکرد افزاره می گردد. ... اتمی گرافن سبب بهبود خواص الکتریکی، نوری، مکانیکی و ...
به خواندن ادامه دهید
WEBOrder today, ships today. NTH4L028N170M1 – N-Channel 1700 V 81A (Tc) 535W (Tc) Through Hole TO-247-4L from onsemi. Pricing and Availability on millions of electronic …
به خواندن ادامه دهید
WEBکاربرد ترانزیستور ماسفت si2302: ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه رسانا اکسید فلز یا mosfet از جمله معروف ترین ترانزیستور اثر میدانی در مدارهای آنالوگ و دیجیتال می باشد که دارای توان اتلافی پایین است.
به خواندن ادامه دهید
WEBDigiKey . 5556-NTH4L028N170M1-ND. . onsemi. . NTH4L028N170M1. . SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER. .
به خواندن ادامه دهید
WEBمتن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد. توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل . مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو ...
به خواندن ادامه دهید
WEBNTH4L028N170M1 onsemi MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 28 mohm, 1700 V, M1, TO-247-4L datasheet, inventory & pricing.
به خواندن ادامه دهید
WEBمقاله فارسی " استفاده از جاذب حفره ها در ترانزیستورهای اثر میدان فلز- نیمه هادی جهت بهبود ولتاژشکست افزاره " توسط علی نادری، استادیار،دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی کرمانشاه ...
به خواندن ادامه دهید
WEBترانزیستورهای اثر میدان نوع دیگری از ترانزیستور ها هستند که عموماً به ماسفِت -MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) شناخته می شوند که از پین (pin)، گیت (gate)، سورس (source) و درین (drain) ساخته شده اند ...
به خواندن ادامه دهید
WEBو این امکان وجود دارد که در نهایت جایگزین ترانزیستورهای PNP و NPN شوند. گفته می شود، هر دو ترانزیستور احتمالاً در دستگاه های پرسرعت و کم مصرف نسل بعدی استفاده می شوند. ترانزیستورهای PNP با ولتاژ ...
به خواندن ادامه دهید
WEBمدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ mos را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و ...
به خواندن ادامه دهید
WEB（onsemi()）（(MOSFET)）NTH4L028N170M1,PDF,,,,NTH4L028N170M1。
به خواندن ادامه دهید
WEBjunction gate field-effect transistor یا (JUGFET یا JFET) به گونه‌ای از ترانزیستورهای اثر میدان گفته می‌شود که از یک کانال عبور و یک گیت تشکیل شده‌اند. دو پایه درین (Drain) و سورس (Source) با اتصال اهمی به دو طرف کانال ...
به خواندن ادامه دهید
WEBWeight (kg): .002. Buy NTH4L028N170M1 - Onsemi - Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 81 A, 1.7 kV, 0.028 ohm, TO-247. element14 Malaysia offers special …
به خواندن ادامه دهید
Silicon Carbide (SiC) MOSFET new family, 1700V M1 planar EliteSiC MOSFET is optimized for fast switching applications. Planar technology works reliably with negative gate voltage drive and turn off spikes on the gate. This EliteSiC family delivers optimum performance when driven with 20V gate drive but also works well with 18V gate drive.
به خواندن ادامه دهید
WEBطراحی و شبیه سازی مدار پایه محاسباتی با استفاده از تکنولوژی ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانو لوله های کربن (cntfets) ... از خطوط لوله برای انتقال انواع محصولات، خصوصاً در صنعت نفت و گاز ...
به خواندن ادامه دهید
WEBخواص و فواید منگنز. یکی از بهترین راههای استفاده از منگنز در رژیم غذایی ما، مصرف یک رژیم گیاهی است. 1. استخوان های سالم. منگنز برای سلامت استخوان ها بسیار مهم است. یک ماده معدنی موثر است که تراکم ...
به خواندن ادامه دهید
WEBدر این مقاله یک تمام جمع کننده Carry Select Adder) CSA) با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله های کربنی طراحی شده است. با توجه به اینکه در حال حاضر تمرکز اصلی در VLSIو مدارات مجتمع، کاهش توان مصرفی وافزایش سرعت ...
به خواندن ادامه دهید
WEBنوع نوار میله ای – در این نوع ترانسفورماتور جریان، از میله باس مدار یا کابل به عنوان سیم پیچ اولیه استفاده می شود. آنها بسیار عایق بندی شده و ولتاژ بسیار بالایی دارند.
به خواندن ادامه دهید
WEBNTH4L028N170M1 1700V EliteSiC MOSFET onsemi NTH4L028N170M1 1700V EliteSiC MOSFET 、。onsemi EliteSiC MOSFET,。 20V, ...
به خواندن ادامه دهید
WEBدر جلسه‌ی پرسش‌و‌پاسخی که پس از سخنرانی برگزار شد، میبری ادعا کرد تولید انبوه ترانزیستورهای نانوسیم (Nanowire) را تا پنج سال آینده ممکن می‌دادند. پیش‌بینی او به‌نوعی هدفی ملموس برای اینتل و ...
به خواندن ادامه دهید
WEBنمودار I-V خصوصیات و طرح‌های خروجی از JFETنوع n. ترانزیستور پیوندی اثر میدان یا جِی‌فِت (به انگلیسی: junction gate field-effect transistor یا JUGFET یا JFET) به گونه‌ای از ترانزیستورهای اثر میدان گفته می‌شود که از یک ...
به خواندن ادامه دهید
WEBچکیده مقاله ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی: بررسی مزایا، چالش ها و کاربردها. امروزه با توجه به نیاز روز افزون افزایشی به تراشه هایی با ابعاد کوچکتر استفاده از ترانزیستورها در ابعاد ...
به خواندن ادامه دهید
WEBبازدید: ۲۰۷۳. ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی که به اختصار JFET (Junction Field Effect Transistor) نامیده می‌شوند، یک المان نیمه‌رسانای تک قطبی است که دارای سه پایه بوده و با ولتاژ کنترل می‌شود. این نوع ...
به خواندن ادامه دهید
WEBترانزیستور bjt اتصال pnp. این ترانزیستور از دسته ترانزیستورهای bjt است که از دو نیمه‌هادی نوع p تشکیل شده و بین آنها لایه نازکی از نیمه‌هادی نوع n است که آنها را از هم جدا می‌کند.
به خواندن ادامه دهید
WEBNTH4L028N170M1 1700V EliteSiC MOSFET onsemi NTH4L028N170M1 1700V EliteSiC MOSFET provides reliable, high-efficiency performance for energy infrastructure and industrial drive applications. The onsemi EliteSiC MOSFET features planar technology that works reliably with negative gate voltage drives and turns off …
به خواندن ادامه دهید
WEBonsemi NTH4L028N170M1 1700V EliteSiC MOSFET provides reliable, high-efficiency performance for energy infrastructure and industrial drive applications. The …
به خواندن ادامه دهید
WEBترانزیستورهای دوقطبی (ترانزیستورهای پیوند دوقطبی بی جی تی BJT) : این قطعه نوعی ترانزیستور است که از الکترون ها و حفره ها به عنوان حامل بار استفاده می کند. دو نوع ترانزیستور دوقطبی تولید می شود ...
به خواندن ادامه دهید
WEB488-NTH4L028N170M1-ND. Standard Package. 450. Order today, ships today. NTH4L028N170M1 – N-Channel 1700 V 81A (Tc) 535W (Tc) Through Hole TO-247-4L from onsemi. Pricing and Availability on millions …
به خواندن ادامه دهید