- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
WEBساینده (به انگلیسی: Abrasive) ماده سختی است که می‌تواند سایر مواد را بریده یا خراش دهد. [۱] از ساینده‌ها به صورت گسترده‌ای در مصارف خانگی، صنعتی و فنی استفاده می‌شود، به همین دلیل ساینده‌ها در ...
به خواندن ادامه دهید
WEBAn adapted method for analyzing 4H silicon carbide metal … Wang, G. et al. Performance comparison of 1200V 100A SiC MOSFET and 1200V 100A silicon IGBT. 2013 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition, ECCE 2013, 15–19 Sept 3230–3234 (2013).
به خواندن ادامه دهید
WEBنیمه هادی‌ها عناصری هستند که بین هادی و عایق قرار دارند. به این معنی که در لایه آخر آنها دقیقا 4 الکترون ظرفیتی وجود دارد و یا با دریافت الکترون تکمیل شده و عایق شوند و یا با از دست دادن الکترون هادی شوند.
به خواندن ادامه دهید
WEBと. ・STMicro は、2021 に 3 の SiC MOSFET テクノロジを。. SCT040W120G3AGは、このをしたプレーナMOSFETのとなります。. 2トランジスタのセルピッチはされ、チップサイズとあたりの …
به خواندن ادامه دهید
WEBTherefore, SiC-MOSFETs require special consideration, unlike Si trench MOSFETs. Figure 3 illustrates the ... در طراحی جزئیات عایق کاری ترجیحاً باید از مصالحی استفاده شود که می‌توان آنها را به راحتی و در داخل کشور تهیه نمود. مقاومت حرارتی ...
به خواندن ادامه دهید
WEBSTMicroelectronics | SiC MOSFETs | EBV Elektronik. STMicroelectronics STPOWER SiC MOSFETs The real breakthrough in high voltage switching. Based on the advanced and innovative properties of wide bandgap materials, ST's STPOWER SiC MOSFETs feature very low R DS(on) per area, with the new SCT*N65G2 650 V and the new SCT*N120G2 …
به خواندن ادامه دهید
WEBDescription. This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST's advanced and innovative 3 rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low R DS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, …
به خواندن ادامه دهید
WEBجان باردین نخستین جایزهٔ نوبل خود را برای کشف خاصیت انتقالی (ترانزیستوری) نیمه هادی‌ها گرفت. بیشتر مواد، یا جریان الکتریکی را انتقال می‌دهند (هادی‌ها) یا جلو جریان الکتریکی را می‌گیرند ...
به خواندن ادامه دهید
WEB650V / 750V / 900V / 1200Vのいラインアップをえています。. STの3 SiC MOSFETは、かつがされるスイッチング･アプリケーション、とりわけのトラクション･インバータ、OBC（オンボード･チャージャ）、DC-DCなどの ...
به خواندن ادامه دهید
WEBصفحه خانگی قیمت کاربید سیلیکون در هر تن اوهدر ترانزیستورهای نیمه هادی استفاده می شود. ... ولتاژ بالا به عنوان نیمه هادی در بسیاری از عناصر مدار استفاده می شوند. مقاومت ولتاژ SiC ده برابر بیشتر از ...
به خواندن ادامه دهید
WEBدرواقع ترانزیستور MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) یا ماسفت یک نوع ترانزیستور بسیار رایج در الکترونیک است. از این قطعه در بسیاری از ادوات الکترونیکی ازجمله مدارهای مجتمع، قدرت، و رایانه‌ها ...
به خواندن ادامه دهید
WEBWatch our on-demand webinar to learn how ST's third generation of silicon-carbide MOSFETs with our new top-side cooling HU3PAK package can take your designs to the next level. Designed to be surface mounted with its top side connected to external heat sink, the HU3PAK package optimizes thermal performance and allows the maximum power …
به خواندن ادامه دهید
WEBFeatured Products. Higher power density with the Gen2 1200 V STPOWER SiC MOSFET in a tiny H2PAK-7 SMD package. Combining outstanding performance with package …
به خواندن ادامه دهید
WEBst micro sic تولید مقاوم در برابر حرارت ... شیشه ضد حریق یا Fire-rated glass در واقع به شیشه‌ای گفته می‌شود که می‌تواند در برابر درجه مشخصی از آتش مقاومت کند. با استفاده از این شیشه می‌توان از ورود آتش و ...
به خواندن ادامه دهید
WEBThe main features of our SiC MOSFETs include: Automotive-grade (AG) qualified devices. Very high temperature handling capability (max. T J = 200 °C) Very high switching …
به خواندن ادامه دهید
WEBدرواقع ترانزیستور MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) یا ماسفت یک نوع ترانزیستور بسیار رایج در الکترونیک است. از این قطعه در بسیاری از ادوات الکترونیکی ازجمله مدارهای …
به خواندن ادامه دهید
WEBGaN: the future of power electronics. ST has gained significant experience in wide bandgap (WBG) materials through silicon carbide (SiC) MOSFETs and SiC diodes. We are now taking the next step in smart power integration with the development of gallium nitride grown on silicon substrates. The very high electron mobility of GaN material allows ...
به خواندن ادامه دهید
WEBDiscover our products around STPOWER SiC MOSFETs. English ; ; ; CATEGORIES. Power transistors; Wide Bandgap Transistors ; STPOWER SiC MOSFETs; STPOWER SiC MOSFETs - Products ... Show only products supplied by ST. on off. All resource types Minify. Technical Literature. Datasheet (99) Technical Note (4) …
به خواندن ادامه دهید
WEBسیلیسیم کاربید یک ماده جامد خاکستری رنگ و پایه نیمه هادی می باشد که از سیلیکون و کربن خالص تشکیل شده است. ... است که در تجهیزات الکترونیکی مورد استفاده قرار می‌گیرد.مزیت اصلی آن این است که می ...
به خواندن ادامه دهید
WEBآمریکا و چین، بودجه هنگفتی را در صنعت تراشه‌های نیمه‌هادی سرمایه‌گذاری کرده‌اند. غزل ویسی. پنج شنبه ۶ بهمن ۱۴۰۱ برابر با ۲۶ ژانویه ۲۰۲۳ ۲۱:۴۵. تولید تراشه‌های نیمه‌هادی بدون کمک آمریکا ...
به خواندن ادامه دهید
WEBراکتورهای سیلیکون کارباید (SiC) راکتورهای سیلیکون کارباید (SIC) جزء سرامیک های کاربیدی هستند و با توجه به فرآیند تولید و نوع اتصال سرامیک SC به گروه های زیر تقسیم می شوند. 1- Sintered silicon carbide (SSIC) کاربید سیلیکون تف جوشی شده از ...
به خواندن ادامه دهید
WEBماسفت چیست و چگونه کار میکند ؟. یکی از متداول ترین انواع ترانزیستور FET گیت عایق بندی ایزوله که در بسیاری از مدارهای الکترونیکی مورد استفاده قرار می‌گیرد، ترانزیستور اثر میدانی نیمه هادی ...
به خواندن ادامه دهید
WEBUnlock the full potential of your next embedded design with ST innovation. See our products in action and discuss the latest strategies. Our 100+ experts will be on hand to provide personalized support and answer your questions. Tradeshow. Nuremberg, Germany 9 - …
به خواندن ادامه دهید
WEBST 1200V 62mohm SiC Mosfet *4 VS ST 600V 70mohm SI Mosfet *8 drive r Gate drive r Gate drive r Gate drive r Gate drive r Benefits in LLC DC/DC secondary stage 14 DUT P cond_DC/DC [W] P sw_DC/DC [W] P tot _DC/DC [W] Efficiency ST SIC MOS 1200V 70mohm 62.15 48 110.15 98.98 ST SI MOS 650V 80mohm 202.4 28 230.4 97.87 …
به خواندن ادامه دهید
WEBSiC MOSFETs. The main features of our SiC MOSFETs include: Automotive-grade (AG) qualified devices. Very high temperature handling capability (max. T J = 200 °C) Very high switching frequency operation and very low switching losses. Low on-state resistance. Gate drive compatible with existing ICs. Very fast and robust intrinsic body diode.
به خواندن ادامه دهید
WEBSiC MOSFET – Mouser India. MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET- EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L SiC MOSFET 1200 V 40 mohm M3S Series in TO247-4LD package NVH4L040N120M3S; onsemi; 1: 232 In Stock; New Product; Mfr. Part No. NVH4L040N120M3S. Mouser Part No 863-NVH4L040N120M3S. New Product. onsemi: …
به خواندن ادامه دهید
WEBHigh creepage version (1700V) in development. Unique Solution for traction Inverter. AG qualified at 200dC. Very High thermal dissipation efficiency. Sense pin for optimized driving. Multi-sintered package. WLBI & KGD. T&R or RWF options. Compliant with the most stringent Automotive Quality Requirements.
به خواندن ادامه دهید
WEBSilicon carbide - The latest breakthrough in high-voltage switching and rectification. ST's portfolio of silicon carbide (SiC) devices incluses STPOWER SiC MOSFETs ranging from 650 to 2200 V with the industry's highest junction temperature rating of 200 °C for more efficient and simplified designs, and STPOWER SiC diodes ranging from 600 ...
به خواندن ادامه دهید
WEBنیمه هادی ها موادی هستند که رسانایی آنها چیزی بین رسانایی هادی‌ها (اغلب فلزات) و غیرهادی‌ها یا عایق‌ها (مانند سرامیک‌ها) است. نیمه هادی ها می‌توانند ترکیباتی مانند گالیم آرسنید یا عناصر ...
به خواندن ادامه دهید
WEBParameters Design and Optimization of SiC MOSFET … In this paper, the insight mechanism for the gate-source voltage changed by overshoot and ringing caused by the high switching speed of SiC MOSFET is … به خواندن ادامه دهید
به خواندن ادامه دهید