- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
WEBترانزیستورهای jfet ساده ترین نوع ترانزیستور اثر میدان می باشد. از این نوع ترانزیستورها می توان به عنوان یک سوئیچ الکترونیکی تحت کنترل یا یک مقاومت کنترل شده (به وسیله ولتاژ) استفاده کرد.
به خواندن ادامه دهید
WEB1- ترانزیستور دوقطبی پیوندی (Bipolar Junction Transistor) ترانزیستورهای دوقطبی پیوندی یا به اختصار BJT دارای پیوند نوع NPN و PNP بوده و در صورتی که پیوند بیس-امیتر در حالت بایاس مستقیم قرار گیرد، می توان جریان الکتریکی بالایی را از طریق ...
به خواندن ادامه دهید
WEBدر این بخش انواع ترانزیستورهای اثر میدانی یا همان فت های پرکاربرد با پکیج های متنوع عرضه می شوند. ترانزیستور های FET شامل دو نوع JFET و MOSFET می شوند. این قطعات از پرکاربردترین قطعات الکترونیک می ...
به خواندن ادامه دهید
WEBترانزیستور bjt اتصال pnp. این ترانزیستور از دسته ترانزیستورهای bjt است که از دو نیمه‌هادی نوع p تشکیل شده و بین آن‌ها لایه نازکی از نیمه‌هادی نوع n است که آن‌ها را از هم جدا می‌کند.
به خواندن ادامه دهید
WEBعلاوه‌بر ساختار پایه ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی ساختارهای جدیدی برای بهبود عملکرد در بسیاری از مقاله‌ها ارائه شده است. ... نتایج شبیه‌سازی نشان می‌دهد که استفاده از این ...
به خواندن ادامه دهید
WEBبیشتر انواع ترانزیستور به صورت جداگانه بسته بندی می شوند اما می توانند در یک مدار مجتمع یا ic نیز قرار بگیرند، تعداد ترانزیستورهای مورد استفاده در مدارات مجتمع به کاربرد آن ها بستگی دارد.
به خواندن ادامه دهید
WEBدر این مقاله، ما مدلی تحلیلی برای ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی به عنوان کانال جریان الکتریکی در ناحیه ی زیر آستانه ارائه نموده ایم. به منظور مدل سازی ابن نوع افزاره ها، از رابطه بازگشتی که در محاسبات ...
به خواندن ادامه دهید
WEBنمودار I-V خصوصیات و طرح‌های خروجی از JFETنوع n. ترانزیستور پیوندی اثر میدان یا جِی‌فِت (به انگلیسی: junction gate field-effect transistor یا JUGFET یا JFET) به گونه‌ای از ترانزیستورهای اثر میدان گفته می‌شود که از یک ...
به خواندن ادامه دهید
WEBQ4100C9056/U. 120 Volt, Silicon Carbide Hot Surface Igniter with 5-1/4 in. lead lengths. Product Info; Literature; Overview. Q4100C Hot Surface Igniters are designed to provide a robust field service replacement igniter in gas fired appliances with 120 VAC silicon carbide hot surface igniters. The Q4100C uses a 120 volt silicon carbide igniter ...
به خواندن ادامه دهید
WEBترانزیستور اثر میدان نیمه هادی اکسید فلز (mosfet) متداول ترین و محبوب ترین نوع در بین تمام ترانزیستورها است. نام «اکسید فلز» نشان می دهد که ناحیه گیت و کانال توسط یک لایه نازک از اکسید فلز که ...
به خواندن ادامه دهید
WEBمتن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد. توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل . مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو ...
به خواندن ادامه دهید
WEBمدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ mos را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و ...
به خواندن ادامه دهید
WEBکنترل کیفی از کجا آغاز می شود؟. معمولا برای آغاز یک فرایند کنترل کیفی یا QC موثر، باید اول استانداردها و معیارهایی که مورد نظر هستند، تعیین شده و در گام بعد گستردگی و مقیاس کنترل کیفیت تعریف ...
به خواندن ادامه دهید
WEBQ4100C9056. Product Details. Catalog Page 2906. Brand HONEYWELL HOME. Manufacturer Part Number Q4100C9056. Product Type Hot Surface Igniter. Replacement Type Universal. Heating Element Material Silicon Carbide. Tip Style Flat. Input Voltage 120V AC. Lead Length 5-1/4 in. Electrical Connection Type Plug-In.
به خواندن ادامه دهید
WEBمقاله فارسی " استفاده از جاذب حفره ها در ترانزیستورهای اثر میدان فلز- نیمه هادی جهت بهبود ولتاژشکست افزاره " توسط علی نادری، استادیار،دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی کرمانشاه ...
به خواندن ادامه دهید
WEBدر این مقاله یک تمام جمع کننده Carry Select Adder) CSA) با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله های کربنی طراحی شده است. با توجه به اینکه در حال حاضر تمرکز اصلی در VLSIو مدارات مجتمع، کاهش توان مصرفی وافزایش سرعت ...
به خواندن ادامه دهید
WEBدر ترانزیستورهای پیوند اثر میدانی (JFET)، با اعمال ولتاژ به پایه گِیت، میزان جریان میان دوپایه سورس و دِرِین کنترل می‌شود. ترانزیستور اثر میدانی به دو نوع تقسیم می‌شود: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type.
به خواندن ادامه دهید
WEBترانزیستور های حالت جامد اثر کوانتومی. در این مقاله به بررسی ترانزیستورهای در مقیاس نانو برای استفاده در کامپیوتر های با مدار مجتمع الکترونیکی بسیار فشرده می پردازیم. به منظور کوچک سازی ...
به خواندن ادامه دهید
WEBترانزیستورها را می‌توان در دو دسته اصلی طبقه‌بندی کرد: دو قطبی و اثر میدان. ما در این مقاله به انواع ترانزیستور اثر میدان می‌پردازیم، دستگاهی که از ولتاژ کمی برای کنترل جریان استفاده می ...
به خواندن ادامه دهید
WEBدر ترانزیستورهای پیوند اثر میدانی (JFET)، با اعمال ولتاژ به پایه گِیت، میزان جریان میان دوپایه سورس و دِرِین کنترل می‌شود. ترانزیستور اثر میدانی به دو نوع تقسیم می‌شود: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type.
به خواندن ادامه دهید
WEBطراحی و شبیه سازی مدار پایه محاسباتی با استفاده از تکنولوژی ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانو لوله های کربن (cntfets) ... از خطوط لوله برای انتقال انواع محصولات، خصوصاً در صنعت نفت و گاز ...
به خواندن ادامه دهید
WEBترانزیستور به عنوان یک قطعه الکترونیکی حساس و پرکاربرد، در زمینه‌های مختلف از جمله الکترونیک میکرو و نانوالکترونیک استفاده می‌شود. وظیفه اصلی ترانزیستور تنظیم و کنترل جریان و ولتاژ مدار ...
به خواندن ادامه دهید
WEBتاریخچه ترانزیستور های اثر میدان پیوندی : تاریخچه ترانزیستور jfet چیست ؟ اگر بخواهیم سرآغاز تولید این نوع ترانزیستورها را بشناسیم حتما باید به تلاش های جان باردین، والتر هاوسر براتین و ولیام شاکلی در حوزه ترانزیستورهای ...
به خواندن ادامه دهید
WEBترانزیستور. ترانزیستورهای پیوند اثر میدانی ( JFET ) ترانزیستورهای اثر میدانی ( MOSFET) ترانزیستورهای اثر میدانی (FET ) ترانزیستورهای دوقطبی پیوندی (BJT ) کاربرد ترانزیستور در مدار الکترونیکی چیست؟این ...
به خواندن ادامه دهید
WEBترانزیستور 13009 . کد ترانزیستور : w13009; برند st; ترانزیستور 13009 یک ترانزیستور منفی (npn) است با تحمل ولتاژ 400 ولت و جریان 12 آمپر که معمولا در تغذیه های صنعتی مورد استفاده قرار می گیرد.. گاها در برخی از تغذیه های صنعتی از ...
به خواندن ادامه دهید
WEBترانزیستورهای اثر میدان نوع دیگری از ترانزیستور ها هستند که عموماً به ماسفِت -MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) شناخته می شوند که از پین (pin)، گیت (gate)، سورس (source) و درین (drain) ساخته شده اند ...
به خواندن ادامه دهید
WEBو این امکان وجود دارد که در نهایت جایگزین ترانزیستورهای PNP و NPN شوند. گفته می شود، هر دو ترانزیستور احتمالاً در دستگاه های پرسرعت و کم مصرف نسل بعدی استفاده می شوند. ترانزیستورهای PNP با ولتاژ ...
به خواندن ادامه دهید
WEBحالت دوم: مولتی متر راه نمی‌دهد (یعنی عددی نشان نمی‌دهد) اگر a به b راه داده است a پایه بیس ترانزیستور و b و c پایه‌های کلکتر و امیتر ترانزیستور هستند و برای شناسایی کلکتر از امیتر با توجه به ...
به خواندن ادامه دهید
WEBترانزیستور چگونه کار می کند؟. به طور کلی از ترانزیستور ها به عنوان کلید و تقویت کننده سیگنال در مدارهای الکترونیکی استفاده می شود. اگر بخواهیم نحوه کار کرد ترانزیستور را به شکل کاملا ساده و ...
به خواندن ادامه دهید
WEBدر جلسه‌ی پرسش‌و‌پاسخی که پس از سخنرانی برگزار شد، میبری ادعا کرد تولید انبوه ترانزیستورهای نانوسیم (Nanowire) را تا پنج سال آینده ممکن می‌دادند. پیش‌بینی او به‌نوعی هدفی ملموس برای اینتل و ...
به خواندن ادامه دهید