- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
WEB۱- هادی یا رسانا (ماده ای که به راحتی جریان الکتریکی را از خود عبور می دهد) ۲-عایق یا نارسانا ( موادی که قابلیت انتقال جریان الکتریکی را ندارند) ۳-نیمه رسانا با نیمه هادی ( موادی که در شرایط خاص می ...
به خواندن ادامه دهید
WEBدر فیزیک آشکارسازی تابش‌های یون ساز، وسیله‌ای است که در آن از مواد نیمه هادی (اغلب سیلیکون یا ژرمانیوم) برای اندازه‌گیری اثر برخورد ذرات باردار یا فوتون‌ها استفاده می‌شود.
به خواندن ادامه دهید
WEBمواد اولیه نیمه هادی ها، موادی هستند که برای ساخت نیمه هادی ها استفاده می شوند. دو ماده اصلی نیمه هادی ها، سیلیکون و ژرمانیم هستند. سیلیکون ماده ای فراوان و ارزان است که حدود 28 درصد از پوسته ...
به خواندن ادامه دهید
WEBperformance from ST's 1200 V SiC MOSFET in your application. The first ST SiC MOSFET given is the 80 mΩ version (SCT30N120), the device is packaged in the proprietary HiP247™ package and features the industry's highest junction temperature rating of 200 °C. All the data reported in the present work refers to the SCT30N120.
به خواندن ادامه دهید
WEBSTのSiC（シリコン･カーバイド）MOSFETは、650V～1700Vのいにてされます。. のテクノロジー･プラットフォームの1つで、れたスイッチングおよびきわめていたりのオンをとします。. STPOWER SiCパワーMOSFETの ...
به خواندن ادامه دهید
WEBstのsicポートフォリオには、クラスの（vf）をとするダイオードをむ600v / 1200vのsicダイオード、およびクラスの200℃のをとする650v / 750v / 900v / 1200v / 1700vのsic mosfetがまれており、かつシンプルなをにします。
به خواندن ادامه دهید
WEBدر ادامه به آشنایی با یکی از این راهبردها، یعنی پیشرو بودن و حرکت بر لبه فناوری پرداخته می‌شود. همواره نوآوری برای شرکت‌های فعال در صنعت نیمه‌هادی اهمیت ویژه‌ای داشته است، زیرا عرضه‌ی ...
به خواندن ادامه دهید
WEBمعمولاً برای تولید ترانزیستورهای فلزی-اکسیدی-نیمه هادی با اثر میدان (mosfets) و تراشه های مدار مجتمع سیلیکون استفاده می شود. خطرات و عوارض جانبی سیلیس. سیلیکا به صورت خوراکی در صورت بلع غیر سمی است.
به خواندن ادامه دهید
WEBبنابراین، نیمه هادی ها می‌توانند حسگرهای عالی بسازند. رسانایی جریان در یک نیمه‌هادی ناشی از حرکات الکترون و حفره است که در مجموع به عنوان حامل بار شناخته می‌شود.
به خواندن ادامه دهید
WEBدیود چیست؟. دیود قطعه‌ای الکتریکی است که باعث می‌شود جریان تنها در یک جهت حرکت کند. این قطعه در رسم مدار به صورت یک مثلت با یک خط که در سراسر رأس آن کشیده شده است، نمایش داده می‌شود. حال این ...
به خواندن ادامه دهید
WEBFeatured Products. Higher power density with the Gen2 1200 V STPOWER SiC MOSFET in a tiny H2PAK-7 SMD package. Combining outstanding performance with package …
به خواندن ادامه دهید
WEBترانزیستور چیست و چگونه کار میکند ؟. در ساده‌ترین تعریف، ترانزیستور المانی نیمه هادی است که از آن برای کنترل یا تقویت جریان الکتریکی استفاده می‌شود. ترانزیستورها به دو گروه زیر طبقه‌بندی ...
به خواندن ادامه دهید
WEBآنها بطور دایم این آزمایش را با مواد نیمه هادی تکرار کردند و نتیجه یکی بود. جریان قوی، مقاومت قوی، جریان ضعیف، مقاومت ضعیف. باردین این پدیده را «جابه‌جایی مقاومت کننده‌ها» یا به اختصار ...
به خواندن ادامه دهید
WEB۱-مقدمه. از مهم‌ترین ادوات الکترونیکی که در آنها از نیمه‌هادی‌ها استفاده می‌شود و نانوفناوری به صورت گسترده در آنها استفاده شده است می‌توان به دیودها، دیودهای نورافشان(led) ، ترانزیستورها و سلول‌های خورشیدی اشاره ...
به خواندن ادامه دهید
WEBنیمه هادی‌های معمولی مانند سیلیکون دارای فاصله باندی در محدوده ۰٫۶ – ۱٫۵ الکترون ولت (eV) هستند. در حالی که مواد با شکاف گسترده دارای شکاف باند در محدوده بالای eV 2 هستند. [۱] [۲] به‌طور کلی، نیمه ...
به خواندن ادامه دهید
WEBتاریخ نیمه هادی ها. اصطلاح "نیمه هادی" برای اولین بار توسط الساندرو ولتا در سال 1782 استفاده شد. مایکل فارادی اولین نفری بود که اثر نیمه هادی را در سال 1833 مشاهده کرد. فارادی مشاهده کرد که مقاومت ...
به خواندن ادامه دهید
WEBکاربید سیلیکون (SiC) چیست؟ کاربید سیلیکون با نماد شیمیایی SiC یک ماده معدنی جامد کریستالی صنعتی است. از آن به عنوان نیمه هادی و سرامیک استفاده می شود که معمولاً به آن کاربوراندوم می گویند. SiC به طور طبیعی در یک ماده معدنی ...
به خواندن ادامه دهید
WEBمواد نیمه‌هادی با توجه به میزان ولتاژی که به آنها راه پیدا میکند، می‌توانند به عنوان عایق یا رسانا عمل کنند و به همین خاطر از اصطلاح نیمه‌هادی برای تعریف آنها استفاده می‌شود. در این ...
به خواندن ادامه دهید
WEBسیلیکون کارباید که با نماد شیمیایی SiC نشان داده می شود یک ماده معدنی جامد بلوری است. از این ترکیب در صنایع به عنوان نیمه هادی و سرامیک استفاده می شود که معمولاً به آن carborundum گفته می شود. سیلیکون ...
به خواندن ادامه دهید
WEBسیلیکون کارباید که با نماد شیمیایی SiC نشان داده می شود یک ماده معدنی جامد بلوری است. از این ترکیب در صنایع به عنوان نیمه هادی و سرامیک استفاده می شود که معمولاً به آن carborundum گفته می شود.
به خواندن ادامه دهید
WEB3 SiC MOSFET. きわめていにより、システムのなサイズを. ：175℃. プレス･フィットにより、アプリケーションにとされるい、のを. ピンフィン. AMBにより、 ...
به خواندن ادامه دهید
WEBنیمه‌رسانا یا نیمه‌هادی (به انگلیسی: Semiconductor) عنصر یا ماده‌ای است که رسانایی الکتریکی آن حالتی بین مواد رسانا از قبیل مس و مواد عایق الکتریکی مانند شیشه باشد. نیمه‌رساناها در دنیای ...
به خواندن ادامه دهید
WEBThe main features of our SiC MOSFETs include: Automotive-grade (AG) qualified devices. Very high temperature handling capability (max. T J = 200 °C) Very high switching …
به خواندن ادامه دهید
WEBLED، یک نیمه هادی است. یک وسیله ی الکترونیکی. An LED is a semiconductor. It's an electronic device. عملیات سرد کردن برای عملکرد مواد نیمه هادی استفاده شده لازم است. The cooling is necessary for the operation of the semiconductor materials used. صنعت نیمه ...
به خواندن ادامه دهید
WEBدیود (diode) را می‌توان قطعه الکترونیکی دو ترمینالی دانست که جریان را تنها در یک جهت وصل میکند (تا زمانی که با سطح ولتاژ مشخصی به کارگیری شود). دیودی ایده آل در یک جهت مقاومت صفر داشته و مقاومتی ...
به خواندن ادامه دهید
WEBدر واقع این دستگاه در فرایند ساخت قطعات نیمه هادی به کار می رود و اپل برای ساختن چیپ ها از آن استفاده می کرده است. دستگاهی که در شکل می بینیم، محفظه ای است که می تواند ماده ای را به حالت بخار ...
به خواندن ادامه دهید
WEBPower MOSFET Applications. The ST Power MOSFET portfolio offers a broad range of breakdown voltages from -100 to 1700 V, combining state-of-the-art packaging with low gate charge and low on-resistance. Our process technology ensures high-efficiency solutions through enhanced power handling with MDmesh high-voltage power …
به خواندن ادامه دهید
WEBThe main features of our SiC MOSFETs include: Automotive-grade (AG) qualified devices. Very high temperature handling capability (max. T J = 200 °C) Very high switching frequency operation and very low switching losses. Low on-state resistance. Gate drive compatible with existing ICs. Very fast and robust intrinsic body diode.
به خواندن ادامه دهید
WEB1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary) STPOWER Gen3 SiC MOSFETs; STPOWER SiC MOSFET : The real breakthrough in high-voltage switching; SiC MOSFET, the real breakthrough in high-voltage switching; SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching
به خواندن ادامه دهید
WEBکیفیت بالا فلز عملی ولتاژ بالا Sic Mosfet، N نوع سیلیکون کربید نیمه هادی از چین, پیشرو چین است فلز ولتاژ بالا Sic Mosfet,سیک موزفت ولتاژ بالا,نیمه هادی کربید سیلیکون نوع N تولید - محصول, با کنترل کیفیت دقیق Practical High Voltage Sic Mosfet ...
به خواندن ادامه دهید