- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
WEBThe short-circuit capability of a power device is highly relevant for converter design and fault protection. In this paper a 10kV 10A 4H-SiC MOSFET is characterized and its short circuit withstand capability is studied and analyzed at 6 kV DC-link voltage. The test setup for this study is also introduced as its design, especially the inductance in the …
به خواندن ادامه دهید
WEB• Comparing 900V SiC MOSFET to 650V Si • Lower positive temperature coefficient than Si superjunction MOSFET – Ô Ó( Â / Õ Ø $) - . . /* ¸ Ô ×( Â / Ô Ø Ó !*- 900V SiC MOSFET – Ô Ú( Â / Õ Ø $) - . . /* ¸ × Ô( Â / Ô Ø Ó !*- 650V Si MOSFET • No knee voltage as found in IGBT 35 40 45 ) 100 120 S o u r c e C u r r e n
به خواندن ادامه دهید
WEBST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. ST's 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also feature significantly reduced switching losses with minimal variation versus the …
به خواندن ادامه دهید
WEBدر بعضی از قسمت‌های پردازنده از فلزهای گران‌بها مثل طلا، نقره، مس، آلومینیوم و قلع نیز استفاده میشود. در واقع، بیشترین میزان فلزات گران‌بها در پردازنده مرکزی (سی‌پی‌یو) به‌کار می‌رود ...
به خواندن ادامه دهید
WEBState University of New York (SUNY) Polytechnic Institute says that associate professor of nanoengineering Dr Woongje Sung has been selected to receive $2,078,000 in total federal funding over three years from the US Army Research Laboratory (ARL) for advancing 'MUSiC' (the Manufacturing of Ultra-high-voltage Silicon Carbide …
به خواندن ادامه دهید
WEBاز چه موادی در ساخت آهنربا استفاده می شود؟ مواد خام موجود در آهن رباها ... هستند که یک ماده معدنی فریت آهن کریستالی سخت است و اثر میدان مغناطیسی اش از تأثیر حوزه مغناطیسی زمین بر روی آن ناشی می ...
به خواندن ادامه دهید
WEBROHM's 1,200V S4101 SiC MOSFETs and 650V S6203 SiC SBD are supplied in bare die form, enabling Apex to save space and increase the performance and reliability of its modules. In addition to the SiC devices, Apex's new line of power modules use ROHM's tightly-matched BM60212FV-C gate drivers in Bare Die format, contributing …
به خواندن ادامه دهید
WEBAISI 4040 به دلیل وجود کروم ترد و شکننده است که برای پیشگیری از این خاصیت به آن نیکل اضافه می کنند. این فولاد را در مقاطع دیگر مانند لوله و ورق در صفحات ورق Mo40 و لوله Mo40 میتوانید مشاهده کرد . نکته ...
به خواندن ادامه دهید
WEBAbstract: A double-side cooled 10 kV, 25 A SiC MOSFET package is proposed which utilizes a wirebond-less molybdenum interconnect to alleviate thermomechanical stress and improve reliability. An effective junction-to-case thermal resistance of 0.17 ° C/W is achieved, enabling the package to dissipate a heat flux at the MOSFET surface in …
به خواندن ادامه دهید
WEBTECHNICAL R Development of SiC Trench MOSFET with … Trench-Gate SiC MOSFETs by Localized High-Concentration N-Type Ion Implantation, Mater. Sci. Forum 1004, 770-775 (2020) (4) T. Tanioka, et al.: High Performance 4H-SiC MOSFETs with Optimum Design of Active Cell and Re-Oxidation, PCIM Europe 2018, 879-884 (2018) (5) Peters, D., et al ...
به خواندن ادامه دهید
WEBまず、SiC-MOSFETのにおいては、スイッチングのをし、Si IGBTではがな100kHzのとのをしています。. また、（2G）SiC-MOSFETでは1つのスイッチをトランジスタ2のでしましたが、 ...
به خواندن ادامه دهید
WEBدر سنگ‌زنی داخلی از یک سنباده کوچک برای سنگ زنی سطح داخلی قطعاتی مانند بوش و پوسته یاتاقان‌ها استفاده میشود. به این ترتیب کار قطعه در یک نظام دوار نگه داشته میشود و سنگ با سرعت rpm30000یا ...
به خواندن ادامه دهید
WEBاندازه دانه‌های کلینکر۲۰-۵ میلی‌متر و رنگ آن سبز تیره می‌باشد. در افغانستان در کنار فابریکات سمنت مانند غوری، جبل سراج و هرات؛ در معادن چنین مواد قرار داشته و از آن سمنت حاصل میشود. اجزای ...
به خواندن ادامه دهید
WEBجت‌های هوا: جت‌های هوا برای جابجایی مواد در سیستم‌های خطوط انتقال مواد استفاده میشود. این دستگاه‌ها معمولاً برای جابجایی مواد پودری، گلوله‌های پلاستیکی و قطعات فلزی بکار می‌روند.
به خواندن ادامه دهید
WEBDesign Recommendations for SiC MOSFETs. SiC MOSFETs are coming into prominence in select power switching applications above ½ kV, especially in those that benefit from the high-speed capability of SiC MOSFETs. This … به خواندن ادامه دهید
به خواندن ادامه دهید
WEBThe module has a power-loop inductance of 16 nH, and a power density of 4.2 W/mm3 [15]; though, to date, few details have been published on the module design. This work …
به خواندن ادامه دهید
WEBA 5 kV-input power extracting converter based on a voltage-balanced SiC MOSFET stack is constructed to self-power the gate driver, which exhibits simplification …
به خواندن ادامه دهید
WEBAbstract: This paper presents the characterization of the temperature-dependent short-circuit performance of a Gen3 10 kV/20 A silicon carbide (SiC) mosfet. The test platform consisting of a phase-leg configuration and a fast speed 10-kV solid state circuit breaker, with temperature control, is introduced in detail.
به خواندن ادامه دهید
WEBThree level, three phase DC-DC converter topology with series connected Gen 3 10kV SiC MOSFETs is used to implement the proposed DAB converter to obtain a 24kV DC bus. The design specifications of proposed DAB converter is described in detail. Large signal modelling for the three level and three phase DAB converter with a non-linear …
به خواندن ادامه دهید
WEBThis paper presents an Intelligent Medium-voltage Gate Driver (IMGD) for 15kV SiC IGBT and 10kV SiC MOSFET devices. The high voltage-magnitude and high dv/dt(> 30kV/μs) of these MV SiC devices, pose design challenge in form of isolation and EMI. This problem is solved by development of a <; 1pF isolation capacitance power …
به خواندن ادامه دهید
WEBSCT3105KR. 1200V, 24A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET. SCT3105KR is an SiC MOSFET that features a trench gate structure optimized for electric vehicle charging stations, solar power inverters, and server power supplies requiring high efficiency. A new 4-pin package is used that separates the power and driver source ...
به خواندن ادامه دهید
WEBHV SiC FETs approaches the SiC limit HV SiC FETs have low condution losses Beware: MV bipolar devices (SiC IGBTS) are even better [Rothmund, IEEE JESTPE, 2018] Side …
به خواندن ادامه دهید
WEBسنتز به معنای تجزیه و تحلیل یک ماده که برای ساخت یک ماده ی اولیه یا جدید استفاده می شود. اما سنتز مواد روی چه موادی انجام میشود؟. تعدادی از انواع مواد که در این زمینه مورد توجه قرار گرفتند که در ...
به خواندن ادامه دهید
WEB• Comparing 900V SiC MOSFET to 650V Si • Lower positive temperature coefficient than Si superjunction MOSFET – Ô Ó( Â / Õ Ø $) - . . /* ¸ Ô ×( Â / Ô Ø Ó !*- …
به خواندن ادامه دهید
WEBدر کل این روش برای موادی نرم و فلزات رنگی مانند آلومینیوم، مس و برنج استفاده می شود. شکل 1: آزمایش سختی سنجی به روش برینل. یکی از موثرترین و بهترین روش ها برای سختی سنجی ، سختی سنجی به روش ویکرز ...
به خواندن ادامه دهید
WEBSimultaneously imposed challenges of high-voltage insulation, high dv/dt, high-switching frequency, fast protection, and thermal management associated with the …
به خواندن ادامه دهید
WEBIn this paper, we report our recently developed 10 kV/20 A SiC MOSFETs with a chip size of 8.1 × 8.1 mm 2 and a specific on-resistance (R ON, SP) of 100 MΩ-cm 2 at 25 °C. We …
به خواندن ادامه دهید
WEBسیلیس چیست و از کاربردهای آن چه می دانید؟ | جهان شیمی فیزیک. معمولاً برای تولید ترانزیستورهای فلزی-اکسیدی-نیمه هادی با اثر میدان (mosfets) و تراشه های مدار مجتمع سیلیکون استفاده می شود.
به خواندن ادامه دهید
WEBشیمیدان‌ها از اختلاف انحلال‌پذیری مواد مختلف استفاده می‌کنند تا ترکیبات مختلف را خالص‌سازی کنند. روشی که در این کار انجام میشود موسوم به «استخراج مایع-مایع» (Liquid-Liquid Extraction) است.
به خواندن ادامه دهید