- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
WEBمزایای نیمه هادی. · این قطعات جهت انتشار الکترون به توان برای گرم کردن نیاز ندارد. · این قطعات برای کار کردن نیاز به گرم شدن ندارند بنابراین به محض روشن شدن مدار شروع به کار می کنند. · کارکرد ...
به خواندن ادامه دهید
WEBتاریخ نیمه هادی ها. اصطلاح "نیمه هادی" برای اولین بار توسط الساندرو ولتا در سال 1782 استفاده شد. مایکل فارادی اولین نفری بود که اثر نیمه هادی را در سال 1833 مشاهده کرد. فارادی مشاهده کرد که مقاومت ...
به خواندن ادامه دهید
WEBجرم مؤثر (فیزیک حالت جامد) (در فیزیک حالت جامد )جرم مؤثر ذرات که اغلب با نماد {*m} نمایش داده می شود جرم توده ای از یک گروه ذرات است که نسبت به تآثیر برهم کنشی نیروهای وارده، یا توزیع حرارتی ، در تعامل با سایر ذرات رفتاری ...
به خواندن ادامه دهید
WEBبه دلیل ساختار مواد نیمه‌هادی، الکترون‌ها مجبور به ایجاد موجی از جریان الکتریکی در یک جهت می‌شوند. سلول‌های خورشیدی در نمودار انرژی سلول خورشیدی سیلیکونی کریستالی معمولی، دارای راندمان ...
به خواندن ادامه دهید
WEBGeneSiC's 1200V SiC MOSFET discrete are 100 % avalanche (UIL) tested during production Low gate charge and low internal gate resistance – These parameters …
به خواندن ادامه دهید
WEBEach inverter uses sixteen GeneSiC 1200 V, 75 mΩ-rated SiC MOSFETs to provide a two-level converter with bi-directional boost converters and an H4-topology for AC voltage output. As well as delivering the performance and reliability needed by this application, the increased switching frequency of the SiC technology allows the size and …
به خواندن ادامه دهید
WEBSiC MOSFET Archives. G3R450MT17J – 1700V 450mΩ TO-263-7 SiC MOSFET. GeneSiC's new 3300V and 1700V SiC MOSFETs, available in 1000mΩ and 450mΩ options as SMD and Through-Hole discrete packages, are highly optimized for power system designs requiring elevated efficiency levels and ultra-fast switching speeds. …
به خواندن ادامه دهید
WEBIn [7] the test production of 300A/1200V SiC-MOSFET chips was reported, having the size of 10x10mm² and a specific Ron=5,9mΩcm² @ Vg=15V; Ids=300A, see Figure 17. Even though this is a 2 years old result, it is still (as of Sept.2017) the world's largest size 1200V SiC-MOSFET chip. Figure 17: 300A/1200V SiC-MOSFET chip
به خواندن ادامه دهید
WEBDownload Product Selector Guide GeneSiC's G3R™ SiC MOSFETs feature industry leading performance in high-voltage switching to harness never before seen levels of efficiency, high temperature operation and system reliability. Features: G3R™ Technology for +15 V Gate Drive Superior QG x RDS(ON) Figure of Merit Low Gate Charge and …
به خواندن ادامه دهید
WEBماسفت چیست و چگونه کار میکند ؟. یکی از متداول ترین انواع ترانزیستور FET گیت عایق بندی ایزوله که در بسیاری از مدارهای الکترونیکی مورد استفاده قرار می‌گیرد، ترانزیستور اثر میدانی نیمه هادی ...
به خواندن ادامه دهید
WEBمواد اولیه نیمه هادی ها، موادی هستند که برای ساخت نیمه هادی ها استفاده می شوند. دو ماده اصلی نیمه هادی ها، سیلیکون و ژرمانیم هستند. سیلیکون ماده ای فراوان و ارزان است که حدود 28 درصد از پوسته ...
به خواندن ادامه دهید
WEBکاربید سیلیکون (SiC) چیست؟ کاربید سیلیکون با نماد شیمیایی SiC یک ماده معدنی جامد کریستالی صنعتی است. از آن به عنوان نیمه هادی و سرامیک استفاده می شود که معمولاً به آن کاربوراندوم می گویند. SiC به طور طبیعی در یک ماده معدنی ...
به خواندن ادامه دهید
WEBمواد نیمه‌هادی با توجه به میزان ولتاژی که به آن‌ها راه پیدا میکند، می‌توانند به عنوان عایق یا رسانا عمل کنند و به همین خاطر از اصطلاح نیمه‌هادی برای تعریف آن‌ها استفاده می‌شود. در این ...
به خواندن ادامه دهید
WEBدر محیط های کنترل صنعتی و روباتیک و همچنین طراحی مدار چاپر (chopper circuit) از ماسفت ها استفاده می شود. انواع ماسفت ها ماسفت ها به طور کلی بسته به شیمی و کاربردشان به چند دسته تقسیم می‌شوند.
به خواندن ادامه دهید
WEBاصل کار ماسفت. اصلی ترین کار ماسفت این است که بتواند جریان ولتاژ و جریان بین پایانه‌های منبع و تخلیه را کنترل کند. تقریباً مانند یک سوئیچ کار میکند و عملکرد دستگاه بر اساس خازن MOS است. خازن MOS ...
به خواندن ادامه دهید
WEBماده تنگستن یک عنصر فلزی مهم است که در تولید نیمه هادی ها ضروری است. تنگستن را می توان برای ساخت مواد ناخالص در مواد نیمه هادی، ابزارهای پردازش و مواد الکترود در ساخت دستگاه های نیمه هادی استفاده کرد.
به خواندن ادامه دهید
WEBNavitas Semiconductor was formed in 2014 to enable a high-speed revolution in power electronics. As the only pure-play, next-generation power semiconductor company, we are making this revolution possible with GaNFast™ integrated gallium nitride (GaN) power ICs, and GeneSiC™ silicon carbide power MOSFETs and Schottky MPS …
به خواندن ادامه دهید
WEBDULLES, VA, October 20, 2020 — GeneSiC's releases 6.5kV silicon carbide MOSFETs to lead the forefront in delivering unprecedented levels of performance, efficiency and reliability in medium-voltage power conversion applications such as traction, pulsed power and smart grid infrastructure. GeneSiC Semiconductor, a pioneer and global supplier of …
به خواندن ادامه دهید
WEBمبانی نیمه‌هادی‌ها در مدارهای الکتریکی پرکاربردترین قطعه‌ی «پسیو» (passive) مقاومت و پرکاربردترین قطعه‌ی «اکتیو» (active) «دیود» (diode) است. برخلاف مقاومت‌ها، رفتار دیود با ولتاژ اعمالی به آن خطی نیست و منحنی I-V دیود به صورت ...
به خواندن ادامه دهید
WEBمیله کاربید سیلیکون uدر مواد نیمه هادی استفاده می شود ... سختی زیادی با مقدار 9.0 تا 10 در مقیاس Mohs است و فرمول شیمیایی آن SiC است ، که ممکن است نشان دهد که کربن توسط یک پیوند سه گانه کووالانسی با ...
به خواندن ادامه دهید
WEBترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانای اکسید فلز یا ماسفت (MOSFET)، مقاومت گیت ورودی بسیار بزرگی دارد و جریان گذرنده از کانال بین سورس و درین با ولتاژ گیت کنترل می‌شود. به دلیل امپدانس ورودی و بهره ...
به خواندن ادامه دهید
WEB۱- هادی یا رسانا (ماده ای که به راحتی جریان الکتریکی را از خود عبور می دهد) ۲-عایق یا نارسانا ( موادی که قابلیت انتقال جریان الکتریکی را ندارند) ۳-نیمه رسانا با نیمه هادی ( موادی که در شرایط خاص می ...
به خواندن ادامه دهید
WEB왜 GeneSiC인가? 업계에서 가장 포괄적 인 650V 포트폴리오로 우수한 SiC 전력 장치 기술을 제공합니다., 1200V, 1700V 및 3300V MOSFET 및 Schottky MPS 다이오드 . 동급 최고의 성능과 견고 함; 최고의 품질과 신뢰성; 낮은 리드 타임으로 대량 …
به خواندن ادامه دهید
WEBدر فیزیک آشکارسازی تابش‌های یون ساز، وسیله‌ای است که در آن از مواد نیمه هادی (اغلب سیلیکون یا ژرمانیوم) برای اندازه‌گیری اثر برخورد ذرات باردار یا فوتون‌ها استفاده می‌شود.
به خواندن ادامه دهید
WEBSTMicroelectronics 650 Silicon-Carbide (SiC) MOSFETs feature very low on-state resistance (R DS (on)) per area combined with excellent switching performance. This translates into more efficient and compact systems. Compared with silicon MOSFETs, SiC MOSFETs exhibit low on-state resistance per area even at high temperatures.
به خواندن ادامه دهید
WEBنیمه هادی ها – دیودها. عناصر چهارم (مانند سیلسیوم و یا یاژرمانیوم) در لایه آخر خود ۴ الکترون دارند. اگر عناصر گروه پنجم (مانند آرسنیک) وارد شود، موجب تولید الکترون های آزاد می شود. به ماده حاصل ...
به خواندن ادامه دهید
WEBهادی تکی: هر فاز با یک هادی تشکیل می‌شود. هادی چندتایی: هر فاز با چند هادی تشکیل می‌شود. هادی aac . هادی‌های تمام آلومینیومی از رشته‌های مفتولی آلومینیومی به‌هم‌تابیده، ساخته می‌شوند.
به خواندن ادامه دهید
WEBهمه ما درباره مواد عایق و رسانا بارها و بارها شنیده ایم ومیدانیم که هرکدام چه عملکردی دارند،مواد رسانا عامل انتقال جریان انرژی هستند و مواد عایق یا همان نارسانا در برابر عبور انرژی مقاومت می کنند. اما دسته دیگری از مواد ...
به خواندن ادامه دهید
WEBEach inverter uses sixteen GeneSiC 1200 V, 75 mΩ-rated SiC MOSFETs to provide a two-level converter with bi-directional boost converters and an H4-topology for …
به خواندن ادامه دهید
WEBنیمه هادی مانند سیلیسیم (Si)، ژرمانیوم (Ge) و گالیم آرسناید (GaAs) ویژگی‌های الکتریکی خاصی دارند که آن‌ها را در دسته‌ای بین رسانا‌ها و عایق‌ها قرار می‌دهد. این مواد نه رسانای خوبی هستند و نه ...
به خواندن ادامه دهید