- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
WEBThe objective of this study is to provide a comprehensive picture on the ruggedness and reliability of commercial SiC MOSFETs, discover their failure or …
به خواندن ادامه دهید
WEB1200V, 55A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET SCT3040KR is an SiC MOSFET featuring a trench gate structure optimized for a number of applications, …
به خواندن ادامه دهید
WEBروش تولید SiC پودر سیلیکون کاربید غالباً از طریق روش سنتی و قدیمی Acheson تولید می شود. این روش مبتنی بر واکنش مخلوطی از کک خام نفتی و ماسه سنگ است که در کوره های قوس الکتریکی در دمای 2500 درجه ...
به خواندن ادامه دهید
WEBThis paper aims to provide a guideline with respect to a reproducible thermal transient measurement for SiC MOSFETs. Although the thermal transient measurement based on source-drain voltage is a widely applied method for characterizing the thermal properties of MOSFETs, the approach developed for silicon-based devices may not be …
به خواندن ادامه دهید
WEBسوال 1: در مورد تولید سیلیکون، میشه راجع به این جمله یک توضیح مختصری بفرمایید: "این فرآیند کاهشی در یک کوره قوس الکتریکی با مقدار اضافی SiO2 انجام خواهد شد تا از تجمع سیلیکون کاربید (SiC) جلوگیری ...
به خواندن ادامه دهید
WEBWith the continuous development and progress of science and technology, the third-generation semiconductor power devices (SPDs) represented by SiC MOSFETs have become key devices in the field of power electronics due to their merits of excellent power density, high-temperature operating capability, high-frequency characteristics, …
به خواندن ادامه دهید
WEBالمنت SiC یک میله ساخته شده از سیلیکون کارباید است که در مرکز آن با نام زون حرارتی معروف است و دارای مقاومت الکتریکی بالا است ، ایجاد حرارت تا 1550 درجه سانتیگراد می کند. این المنت در انواع مختلف و ...
به خواندن ادامه دهید
WEBکیفیت بالا ماشین آلات سیلیکون کربید MOSFET چند منظوره برای هوافضا از چین, پیشرو چین است MOSFET کربید سیلیکون خودرو,MOSFET کربید سیلیکون هوافضا,ماشین آلات چند منظوره Sic Mosfet تولید - محصول, با کنترل کیفیت دقیق Aerospace Silicon Carbide MOSFET ...
به خواندن ادامه دهید
WEBThe 20 A 1200 V G5 SiC Schottky diode with part number IDH20G120C5 is used as a high-side freewheeling diode. The external gate resistor RG is at 2 Ω and the VGS is at +15 V for turn-on and -5 V for turn-off. Both TO-247 3pin and TO-247 4pin show much lower switching losses compared to their Si counterpart.
به خواندن ادامه دهید
WEBThe switching behavior of fast SiC MOSFETs is characterized by many influences and interdependencies that have a significant impact the device performance. Circuit designers with a good understanding of device behavior can benefit from enhanced device performance by optimizing their power circuits. This paper discusses key aspects …
به خواندن ادامه دهید
WEBFigure 3: Short-circuit testing of a 1200 V, 80 mΩ SiC MOSFET at a dc link of 600 V and VGS = 20 V, indicating a withstand time of at least 5 μs. Figure 4: Avalanche ruggedness test on a 1200 V, 80 mΩ SiC MOSFET, showing that 1.4 J of energy was safely absorbed in the device with Ipeak = 12.6 A and L = 20 mH.
به خواندن ادامه دهید
WEBEffects of silicon carbide MOSFETs on the efficiency and power quality of a microgrid-connected inverter: کلمات کلیدی : ریزشبکه؛ سیلیکون کاربید (SiC)؛ اینورتر؛ تلفات توان؛ هارمونیک های جریان. درسهای مرتبط کیفیت توان
به خواندن ادامه دهید
WEBThis driver is demonstrated on a 900-V SiC MOSFET that requires a 15 V onstate gate voltage to achieve optimum R dson. The device is switched at 50 V/ns in a 100-kHz, non-synchronous, 1:10, 300-W boost converter, with the power device switching 600 V and 5 A. It is shown that the gate voltage can be affected on a 100 ps scale, and that ...
به خواندن ادامه دهید
WEBسیلیکون کارباید (carborundum) با نماد شیمیایی SiC یک ماده معدنی جامد بلوری است که در صنایع مختلف از آن به عنوان نیمه هادی و سرامیک استفاده می‌شود. این ماده شکننده بوده و صرفا با تکنیک سنگ زنی الماس ...
به خواندن ادامه دهید
WEBHow to Drive SiC MOSFETS. With the superior material properties in mind the question poses how these parts have to be controlled on to work at their very best. …
به خواندن ادامه دهید
WEBفروش کاربید سیلیسیوم. اینجا مرکز خرید پودر سیلیکون کارباید SiC است. ما کمترین قیمت کاربید سیلیسیوم Silicium Carbide را ارائه می دهیم. فروش کاربید سیلیسیوم در فاین نانو در حجم های مختلف صورت می گیرد ...
به خواندن ادامه دهید
WEBThese ICs are based on 1700 V SiC MOSFETs on its automotive-qualified InnoSwitch3-AQ family. The new devices claim to be the "industry's first" automotive …
به خواندن ادامه دهید
WEBCoolSiC™ G2 MOSFET portfolios boost the lowest Rdson in the SiC MOSFET market. The introduction of best in class products in SMD packages, makes 7 mOhm rating in 650 V and 8 mOhm rating in 1200 V available in TO263-7 form factor. Improved package interconnect with .XT results in less thermal resistance, more output power, lower operating ...
به خواندن ادامه دهید
WEB[6] F. Boige et al., Ensure an original and safe "Fail-to-Open" mode in SiC MOSFET devices in extreme short-circuit operation, Microelectronics Reliability (88–90) 2018, 598-603. [7] C. Chen et al., Study of short-circuit robustness of SiC MOSFETs, analysis of the failure modes and comparison with BJTs,
به خواندن ادامه دهید
WEBCoolSiC™ MOSFET based CIPOS™ Maxi IPM IM828 series is the world's first 1200 V transfer molded silicon carbide IPM which integrated an optimized 6-channel 1200V SOI …
به خواندن ادامه دهید
WEBکیفیت بالا نوع N سیلیکون کربید MOSFET عملی 650V دمای بالا از چین, پیشرو چین است MOSFET کربید سیلیکون نوع N,سیلیکون کربید MOSFET عملی,۶۵۰ ولت موسفیت دمای بالا تولید - محصول, با کنترل کیفیت دقیق Silicon Carbide MOSFET Practical کارخانه, تولید با ...
به خواندن ادامه دهید
WEBSemiQ's new 1200V 80mΩ SiC MOSFET is available in a TO-247-3L package and will soon be available in a TO-247-4L package and a series of modules. Samples are in stock at …
به خواندن ادامه دهید
WEBسیلیکون کارباید که با نماد شیمیایی SiC نشان داده می شود یک ماده معدنی جامد بلوری است. از این ترکیب در صنایع به عنوان نیمه هادی و سرامیک استفاده می شود که معمولاً به آن carborundum گفته می شود. سیلیکون ...
به خواندن ادامه دهید
WEBSilicon Carbide Nanopowder (SiC, Beta) %+SiC Nanoparticles Purity: 99. SiC Nanoparticles APS: 45-65nm. SiC Nanoparticles Color: Grayish whiteSiC Nanoparticles Bulk Density: 0.05 g/cm3. SiC Nanoparticles True Density: 3.216 g/cm3. SiC Nanoparticles Morphology: cubic. SiC Nanoparticles Making Method: Plasma CVD.
به خواندن ادامه دهید
WEBDULLES, VA, October 20, 2020 — GeneSiC's releases 6.5kV silicon carbide MOSFETs to lead the forefront in delivering unprecedented levels of performance, efficiency and reliability in medium-voltage power conversion applications such as traction, pulsed power and smart grid infrastructure. GeneSiC Semiconductor, a pioneer and global supplier of …
به خواندن ادامه دهید
WEBسیلیسیم کاربید چیست؟. سیلیسیم کاربید، ترکیب کریستالی بسیار سخت و مصنوعی از سیلیکون و کربن با فرمول شیمیاییSiC است. سیلیسیم کاربید توسط مخترع آمریکایی ادوارد جی کشف شد در سال 1891 در حین تلاش ...
به خواندن ادامه دهید
WEBتکنولوژی سیلیکون کاربید (SiC)، محدوده دستگاه های سوئیچینگ را به سه جهت متمایل کرده است: ولتاژ مسدودکننده بالا، دمای عملکردی بالا و سرعت سوئیچینگ بالا. ... The first SiC-MOSFET Half-Bridge Modules (SiC-MOSFET HBMs) are now ...
به خواندن ادامه دهید
WEBسیلیکون کاربید (به انگلیسی: Silicon carbide)یک ماده ی سرامیکی بوده که نوع خالص آن بیرنگ است و وجود ناخالصیهایی از قبیل آهن در ساختار تولیدات صنعتی آن موجب تغییر رنگ به سمت قهوهای و مشکی خواهد شد ...
به خواندن ادامه دهید
WEBCoolSiC™ MOSFET module technology in different packages and topologies. Infineon's range of CoolSiC™ MOSFET power modules open up new opportunities for inverter …
به خواندن ادامه دهید
WEBسیلیکون کاربید – Silicon carbide. اطلاعات عمومی این ماده شیمیایی. نام شیمیایی. سیلیکون کاربید. مترادف ها (en) Carborundum ؛ Moissanite. فرمول مولکولی. SiC. جرم مولکولی.
به خواندن ادامه دهید