- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
WEBدر سنگ‌زنی داخلی از یک سنباده کوچک برای سنگ زنی سطح داخلی قطعاتی مانند بوش و پوسته یاتاقان‌ها استفاده می‌شود. به این ترتیب کار قطعه در یک نظام دوار نگه داشته می‌شود و سنگ با سرعت rpm30000یا ...
به خواندن ادامه دهید
WEBModelling parallel SiC MOSFETs: thermal self‐stabilisation … SiC MOSFET dies are considerably smaller than Si IGBT dies for the same output power (e.g. 100 kW for drive inverters) one needs to parallel a higher number of SiC MOSFETs (even if they have a higher current carrying capability per area) (>10 SiC dies instead of ≃3 IGBT dies) …
به خواندن ادامه دهید
WEBBecause the 4H-SiC {0 3−3 8} plane is inclined to the c-plane at 54.7° as shown in Fig. 2.20a and the 4H-SiC {0 3−3 8} plane is semi-equivalent to 3C-SiC {100} as shown in Fig. 2.20b, the 4H-SiC{0 3−3 8} plane has a low surface free …
به خواندن ادامه دهید
WEBFor example, 3C-SiC has 0% hexagonality and 2H-SiC has 100% hexagonality. Among various SiC polytypes, the practical interest is 4H and 6H-SiC structures because they can be grown as large single crystal ingot on a commercial scale [10]. 4H and 6H-SiC have hexagonal lattice in common. While 4H-SiC (50% …
به خواندن ادامه دهید
WEBUnder the condition of heavy Al doping, the polytype of 4H-SiC was unstable and 6H-SiC polytype appeared. N is the donor for doping SiC and substitutes the C lattice sites of SiC. B is the ...
به خواندن ادامه دهید
WEBAs a result of intensive research in the past decade, SiC has matured as a semiconductor for electronic-device applications. The knowledge of the fundamental materials properties for SiC is also as mature as that for other semiconductors. This is particularly true for the three most common polytypes 3C, 4H, and 6H.
به خواندن ادامه دهید
WEBسوئیچ شبکه چیست؟ یک دستگاه سخت افزاری است که برای اتصال دستگاه‌های مختلف در یک شبکه استفاده می‌شود. سوئیچ‌ها بسته‌های اطلاعاتی را دریافت می‌کنند، آدرس مقصد هر بسته را بررسی می‌کنند و سپس آن بسته را به دستگاه مقصد ...
به خواندن ادامه دهید
WEBاغلب پلی مورف های مورد استفاده SiC عبارت اند از: 3C، 4H، 6H، 15R و 9T. 3C یا β-SiC ساختار بلند روی (شکل زیر) را دارد. دیگر پلی مورف های SiC را به نام α-SiC مطرح است. اما اساساً α-SiC ساختار 6H را دارد.
به خواندن ادامه دهید
WEBآهن ربا برای جداسازی پر کردن آهن از مخلوط جامد دیگر استفاده می شود. آهن ربا برای اهداف مختلفی از جمله بالابر قراضه استفاده می شود. مغناطیس نیروی اساسی طبیعت است. ما را احاطه کرده است.
به خواندن ادامه دهید
WEBFig. 3 summarizes the temperature-dependent k r and k z for the SI 4H-SiC, n-type SiC, and SI 6H-SiC from 250 K to 450 K. Anisotropy is clearly observed in the …
به خواندن ادامه دهید
WEBThe most common polytypes of SiC presently being developed for electronics are the cubic 3C-SiC, the hexagonal 4H-SiC and 6H-SiC, and the rhombohedral 15R-SiC. These polytypes are characterized by the …
به خواندن ادامه دهید
WEBIn the range of the channel doping concentrations in MESFETs, the electron mobility in 4H–SiC is higher than in 3C–SiC and 6H–SiC (see Fig. 1 ), providing for …
به خواندن ادامه دهید
WEBدر کل این روش برای موادی نرم و فلزات رنگی مانند آلومینیوم، مس و برنج استفاده می شود. شکل 1: آزمایش سختی سنجی به روش برینل. یکی از موثرترین و بهترین روش ها برای سختی سنجی ، سختی سنجی به روش ویکرز ...
به خواندن ادامه دهید
WEBnasa این مسئله را مشخص نموده است که استفاده از عملیات های حرارتی در بالاتر از دمای ℃ 1600 بر روی قطعات cvi sic و پیش از مراحل فریندی n24 موجب می شود تا عیوب فرایندی این قطعات از بین روند و بدین وسیله ...
به خواندن ادامه دهید
WEBامروزه نخ به‌عنوان یکی از مهم‌ترین مواد مورد استفاده در ساخت لاستیک خودرو شناخته می‌شود. نخ می‌تواند مقاومت، استحکام و راحتی بی‌نظیری را در لاستیک ایجاد کند. این نوع تقویت‌کننده در تولید ...
به خواندن ادامه دهید
WEB[15] ellipsometrically measured the optical properties of 3C- and 6H-SiC in the temperature range of 90–550 K and in the energy region from 5 to 10 eV. With the aid of spectroscopic ellipsometry, Cobet et al. [16] experimentally measured the optical properties of 3C-, 4H- and 6H-SiC at 300 K in the energy range from 3.5 to 10 eV.
به خواندن ادامه دهید
WEBIn Fig. 3(a), the line shape of each power factor curve of the SiC polytype is different with the peaks appearing at different electron concentrations. The 4H structure has the highest power factor within the electron concentration range 10 20 –10 21 cm −3, and the 2H structure has the second highest power factor at 5 × 10 21 cm −3.
به خواندن ادامه دهید
WEBFirst, the crystal habits of 3C–, 4H– and 6H–SiC particles were evaluated. We revealed that 4H–SiC exhibited {10 2} in addition to {0001} and {10 0} as habit planes. Next, the rates of particle-growth of SiC in Si, Si–40 mol%Cr and Si–40 mol%Cr–4 mol%Al solvents were evaluated. The particle size of 4H–SiC in Si–40 mol%Cr ...
به خواندن ادامه دهید
WEBمواد ساینده. پودرهای کاربید سیلیکون برای فرآیندهای ماشینکاری ساینده مانند سنگ زنی، سندبلاست و برش با جت آب استفاده می شود. SiC را می توان در کاغذ، پارچه یا چوب لمینیت کرد تا چسبندگی اصطکاکی ...
به خواندن ادامه دهید
WEBدر آموزش یادگیری طریقه استفاده از کپسول آتش نشانی، باید ابتدا سلامتی خود را هدف قرار دهید. ایجاد فاصله مناسب بین خود و شعله آتش، از اصلی‌ترین اقدامات می‌باشد. در مرحله بعدی، باید جهت شعله را ...
به خواندن ادامه دهید
WEBBoth 4H SiC and 6H-SiC belong to the hexagonal crystal system. The difference lies in their stacking sequences. In 4H SiC, the layers are stacked in an ABCB sequence, while in …
به خواندن ادامه دهید
WEBThe present research was focused to investigate various process parameters influenced on the large 4H-SiC crystal growth on a 6H-SiC seed by PVT method. The crucible diameter along horizontal axial direction and inserted graphite ring was modified to change the growth parameter like the temperature gradient. In the initial stage of growth, foreign …
به خواندن ادامه دهید
WEBکامپوزیت سیلیکون کاربید–سیلیکون کاربید (SiC–SiC matrix composite) یک نوع خاص از کامپوزیت زمینه سرامیکی (CMC) است که به دلیل تحمل دماهای بالا جایگزین مناسبی برای آلیاژهای فلزی در توربین‌های گازی می‌باشد. . کامپوزیت‌های زمینه ...
به خواندن ادامه دهید
WEBTwo types of substrate were used for the experiments, both obtained from SiCrystal AG. The first one was n-type 4H–SiC(0001) doped with nitrogen, with concentration of carriers of 4.2 × 10 18 cm − 3.The second was n-type 6H–SiC(0001), doped with nitrogen with concentration of carriers of 5.5 × 10 17 cm − 3.The individual …
به خواندن ادامه دهید
WEBسخت کاری فلزات چگونه انجام می شود؟ (معرفی 4 روش عملیات حرارتی) سخت کاری فلزات به روش کوئنچینگ به این صورت است که. مواد سخت شده، ابتدا در آب تا دمای 300 درجه تا 400 درجه سانتیگراد سرد می شوند و.
به خواندن ادامه دهید
WEBDie Kristallstruktur ist der Hauptunterschied zwischen 4H-SiC und 6H-SiC. Wie bereits erwähnt, 4H SiC hat eine ABCB-Stapelsequenz, Dies führt zu einer höheren Symmetrie im Vergleich zur ABABAB-Stapelung von 6H-SiC. Dieser Symmetrieunterschied beeinflusst den Kristallwachstumsprozess, Dies führt zu Schwankungen in der Defektdichte und der ...
به خواندن ادامه دهید
WEBUnder the condition of heavy Al doping, the polytype of 4H-SiC was unstable and 6H-SiC polytype appeared. N is the donor for doping SiC and substitutes the C …
به خواندن ادامه دهید
WEB4H-SiCウエハはになどのパワーデバイスとしてされるケースがいです 6H-SiCウエハは4H-SiCウエハとがよくています。 でしてし、がめられるにもしているのがです。
به خواندن ادامه دهید
WEBThe two stacking ways do not cause a significant difference in formation energy, typically a few meV per formula higher for 3C-SiC than for 4H-SiC at 0 K. At temperatures around 1727 °C, the energy difference between 3C-SiC and 4H-SiC widens to about 5–10 meV per formula, enhancing the stability of 4H-SiC further. However, it is not …
به خواندن ادامه دهید
WEBSilicon carbide (SiC) is widely used in many research fields because of its excellent properties. The femtosecond laser has been proven to be an effective method for achieving high-quality and high-efficiency SiC micromachining. In this article, the ablation mechanism irradiated on different surfaces of 6H-SiC by a single pulse under different …
به خواندن ادامه دهید