- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
WEBعملکرد لامپ های led. یکی از عواملی که سبب افزایش عمر لامپ ال ای دی می شود، نحوه عملکرد این لامپ ها است. در ساختار این لامپ ها برخلاف نمونه های قدیمی از جیوه و بخار آن استفاده نشده است. به همین دلیل ...
به خواندن ادامه دهید
WEBدر این مقاله یک تمام جمع کننده Carry Select Adder) CSA) با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله های کربنی طراحی شده است. با توجه به اینکه در حال حاضر تمرکز اصلی در VLSIو مدارات مجتمع، کاهش توان مصرفی وافزایش سرعت ...
به خواندن ادامه دهید
WEBدر ترانزیستورهای پیوند اثر میدانی (JFET)، با اعمال ولتاژ به پایه گِیت، میزان جریان میان دوپایه سورس و دِرِین کنترل می‌شود. ترانزیستور اثر میدانی به دو نوع تقسیم می‌شود: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type.
به خواندن ادامه دهید
WEBAn adapted method for analyzing 4H silicon carbide metal … Wang, G. et al. Performance comparison of 1200V 100A SiC MOSFET and 1200V 100A silicon IGBT. 2013 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition, ECCE 2013, 15–19 Sept 3230–3234 (2013).
به خواندن ادامه دهید
WEBترانزیستورهای اثر میدان نوع دیگری از ترانزیستور ها هستند که عموماً به ماسفِت -MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) شناخته می شوند که از پین (pin)، گیت (gate)، سورس (source) و درین (drain) ساخته شده اند ...
به خواندن ادامه دهید
WEBترانزیستورهای دوقطبی (ترانزیستورهای پیوند دوقطبی بی جی تی BJT) : این قطعه نوعی ترانزیستور است که از الکترون ها و حفره ها به عنوان حامل بار استفاده می کند. دو نوع ترانزیستور دوقطبی تولید می شود ...
به خواندن ادامه دهید
WEBترانزیستور اثر میدانی (FET) ترانزیستورهای FET دارای سه پایانه هستند که عبارتند از گیت (Gate)، سورس (Source) و درین (Drain). ولتاژ در ترمینال گیت می تواند جریان بین سورس و درین را کنترل کند.
به خواندن ادامه دهید
WEBjunction gate field-effect transistor یا (JUGFET یا JFET) به گونه‌ای از ترانزیستورهای اثر میدان گفته می‌شود که از یک کانال عبور و یک گیت تشکیل شده‌اند. دو پایه درین (Drain) و سورس (Source) با اتصال اهمی به دو طرف کانال ...
به خواندن ادامه دهید
WEBWolfspeed C2M0045170D SiC MOSFET Datasheet • 2nd generation SiC MOSFET technology • High blocking voltage with low On-Resistance • High speed switching with low capacitances • Resistant to latch-up • Halogen Free, ... Note (2): MOSFET can also safely operate at 0/+20V Part Number Package Marking C2M0045170DTO-247-3L. …
به خواندن ادامه دهید
WEBدر جلسه‌ی پرسش‌و‌پاسخی که پس از سخنرانی برگزار شد، میبری ادعا کرد تولید انبوه ترانزیستورهای نانوسیم (Nanowire) را تا پنج سال آینده ممکن می‌دادند. پیش‌بینی او به‌نوعی هدفی ملموس برای اینتل و ...
به خواندن ادامه دهید
WEBچکیده مقاله ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی: بررسی مزایا، چالش ها و کاربردها. امروزه با توجه به نیاز روز افزون افزایشی به تراشه هایی با ابعاد کوچکتر استفاده از ترانزیستورها در ابعاد ...
به خواندن ادامه دهید
WEBترانزیستورهای اثر میدان نوع دیگری از ترانزیستور ها هستند که عموماً به ماسفِت -MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) شناخته می شوند که از پین (pin)، گیت (gate)، سورس (source) و …
به خواندن ادامه دهید
WEBروش های تولید سیلیکون کاربید. همانطور که گفته شد سیلیکون کاربید یک ماده معدنی بسیار نادر و کمیاب است و به دلیل کاربرد بسیار گسترده آن، امروزه تولید آن به صورت مصنوعی و به روش سنتز انجام می گیرد.
به خواندن ادامه دهید
WEBو این امکان وجود دارد که در نهایت جایگزین ترانزیستورهای PNP و NPN شوند. گفته می شود، هر دو ترانزیستور احتمالاً در دستگاه های پرسرعت و کم مصرف نسل بعدی استفاده می شوند. ترانزیستورهای PNP با ولتاژ ...
به خواندن ادامه دهید
WEBT R Development of SiC-MOSFET Chip Technology. to the physical properties of SiC, the electric field intensity in SiC chips unavoidably tends to increase; in particular, the intensity of the electric field to be applied to the gate oxide at the trench bottom becomes high. Therefore, SiC-MOSFETs require special consideration, unlike Si trench ...
به خواندن ادامه دهید
WEBدر عملیات پرداخت‌کاری، اندازهٔ دانه‌های ساینده معمولاً از ۲۰۰ (تعداد در هر اینچ مربع) تا ۱۰۰۰ تغییر می‌کند. برای مواد سخت‌تر، از دانه‌های ریزتر استفاده می‌شود تا پرداخت سطحی بهتری بدست آید.
به خواندن ادامه دهید
WEBترانزیستورهای اثر میدانی به ترانزیستورهای اثر میدان اتصالی (jfet) و ترانزیستورهای اثر میدانی گیت عایق (ig-fet) یا ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه هادی اکسید فلزی (mosfet) طبقه‌بندی می‌شوند.
به خواندن ادامه دهید
WEBWith an extended range of voltage, rating from 650 to 1700 V and higher in the near future, ST's SiC MOSFETS feature excellent switching performance combined with very low on-state resistance R DS (on) per area Figure Of Merit. ST SiC Diodes are available from 600 to 1200 V with single and dual diodes encapsulated in package sizes from DPAK ...
به خواندن ادامه دهید
WEBادغام این دو دیود با یکدیگر منجر به تولید یک قطعه سه‌سر، دو پیوندی و سه‌لایه خواهد شد که اساس یک ترانزیستور BJT یا پیوندی دوقطبی (Bipolar Junction Transistor) یا به اختصار BJT را تشکیل می‌دهد. محتوای این ...
به خواندن ادامه دهید
WEBاز کاربردهای مهم ترانزیستورهای اثر میدانی پیوندی می‌توان به موارد زیر اشاره کرد: از این نوع ترانزیستور به عنوان یک سوئیچ استفاده می‌شود. استفاده از آن‌ها برای چاپر هم متداول است.
به خواندن ادامه دهید
WEBنانومواد. نانوفناوری، توانمندی تولید و ساخت مواد، ابزار و سیستم‌های جدید با در دست گرفتن کنترل در مقیاس نانومتری یا همان سطوح اتمی و مولکولی، و استفاده از خواصی است که در این سطوح ظاهر می‌شوند.
به خواندن ادامه دهید
WEBهادی، با استفاده از این مشخصه ماده تعریف می‌شود. کشف. اثر هال در سال 1879 توسط «ادوین هال» (Edwin Hall) هنگامی که روی رساله دکترای خود در دانشگاه جانز هاپکینز کار می‌کرد، کشف شد. ۱۸ سال پیش از آنکه ...
به خواندن ادامه دهید
WEBبه هر حال، کاهش در اندازه ترانزیستورهای اثر میدانی حال حاضر، در زمانی نه چندان دور به علت اثرات مکانیک کوانتومی و محدودیت تکنیک های ساخت، غیر ممکن خواهد بود. بسیاری از محققان که در زمینه ...
به خواندن ادامه دهید
WEBترانزیستور به عنوان یک قطعه الکترونیکی حساس و پرکاربرد، در زمینه‌های مختلف از جمله الکترونیک میکرو و نانوالکترونیک استفاده می‌شود. وظیفه اصلی ترانزیستور تنظیم و کنترل جریان و ولتاژ مدار ...
به خواندن ادامه دهید
WEBدر این مقاله، ما مدلی تحلیلی برای ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی به عنوان کانال جریان الکتریکی در ناحیه ی زیر آستانه ارائه نموده ایم. به منظور مدل سازی ابن نوع افزاره ها، از رابطه بازگشتی که در محاسبات ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورها قطعاتاکتیو سه‌سری هستند که از مواد نیمه‌هادی مختلف ساخته شده‌اند و می‌توانند در کاربردهای ولتاژ سیگنال کوچک به عنوان یک عایق یا یک رسانا عمل کنند. توانایی ترانزیستور در تغییر بین این دو حالت سبب می‌شود این قطعه دو عملکرد اساسی داشته باشد: …
به خواندن ادامه دهید
WEBترانزیستور اثر میدان نیمه هادی اکسید فلز (mosfet) متداول ترین و محبوب ترین نوع در بین تمام ترانزیستورها است. نام «اکسید فلز» نشان می دهد که ناحیه گیت و کانال توسط یک لایه نازک از اکسید فلز که ...
به خواندن ادامه دهید
WEBیک تعداد از کامپوزیت های SiC/SiC مقاوم در برابر دماهای بالا، با روش CVI تولید شده اند. به منظور محافظت فاز میانی PyC در برابر اکسیداسیون، فازهای میانی و زمینه ی چندلایه توسعه یافته اند.
به خواندن ادامه دهید
WEBمزایای استفاده از ترانزیستور اثر میدان (JFET) • ترانزیستور JFET مقاومت ظاهری بسیار بالایی دارد. • ترانزیستور JFET از جمله دستگاه‌های الکترونیکی با مصرف بسیار پایین است. • انواع مختلف ترانزیستور ...
به خواندن ادامه دهید
WEBپژوهش ها نشان میدهند که استفاده از این ماده به عنوان ماده ی کانال در ترانزیستورهای اثر میدانی منجر به بهبود عملکرد افزاره می گردد. ... اتمی گرافن سبب بهبود خواص الکتریکی، نوری، مکانیکی و ...
به خواندن ادامه دهید