- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
WEBیک بلوک که به آن زیرلایه نیز گفته می‌شود و از نیمه هادی نوع p ساخته شده، به عنوان بیس ماسفِت استفاده می شود. دو طرف از این زیر لایه نوعp، به شدت با ناخالصی نوع n آلایش شده است (با +n مشخص شده است).
به خواندن ادامه دهید
WEBبه بیان دیگر نیمه‌هادی‌های نوع اِن، از ترکیب یک نیمه‌هادی خالص با عناصری که دارای اتم‌های پنج‌ظرفیتی هستند (مانند آرسنیک) به دست می‌آید. در پیوند کووالانسی بین اتم ناخالصی با اتم‌های ...
به خواندن ادامه دهید
WEBدیود (diode) را می‌توان قطعه الکترونیکی دو ترمینالی دانست که جریان را تنها در یک جهت وصل میکند (تا زمانی که با سطح ولتاژ مشخصی به کارگیری شود). دیودی ایده آل در یک جهت مقاومت صفر داشته و مقاومتی ...
به خواندن ادامه دهید
WEBThe industry's lowest on-state resistances and switching losses for maximum efficiency and power density. Wolfspeed extends its Silicon Carbide (SiC) technology leadership with the introduction of 3rd-Generation 650 V MOSFETs; enabling smaller; lighter; and highly-efficient power conversion in an even wider range of power systems.
به خواندن ادامه دهید
WEBThe switching behavior is different for a few of the SiC MOSFETs, such as CAS300M12BM2 from Cree Inc. As shown in Fig. 1(c) and Fig. 1(d), SiC MOSFETs exhibit a non-flat gate-plateau voltage region, with V gs increasing from V p1 to V p2, while V ds reduces to V ds(on) during turn-on, and vice-versa during turn-off, which makes it difficult
به خواندن ادامه دهید
WEBآنالیز و شبیه سازی اثرات کانال کوتاه در ترانزیستور اثر میدان- فلز نیمه هادی. چکیده به خوبی می دانیم که کاهش طول گیت، یک وسیله ی قوی جهت افزایش هدایت انتقالی و فرکانس عبور ترانزیستور های اثر ...
به خواندن ادامه دهید
WEBمقایسه ساختار IGBT و MOSFET. هر دوی این ترانزیستورها در ساختار شباهت های بسیاری به هم دارند. تنها تفاوت مهم آنها در گردش جریان الکترون هاست که در IGBT لایه p اضافه تری در زیر لایه n وجود دارد. در این ...
به خواندن ادامه دهید
WEBThe Silicon Carbide MOSFET module switches at speeds beyond what is customarily associated with IGBT-based modules. Therefore, special precautions are required to realize optimal performance. The interconnection between the gate driver and module housing needs to be as short as possible.
به خواندن ادامه دهید
WEBچرا از مافست استفاده می‌کنند؟ mosfet به دلیل ویژگی‌های خاص خود، ازجمله مقاومت ورودی بالا، توان مصرفی کم و سرعت عمل سوئیچینگ سریع، در بسیاری از پروژه‌های الکترونیکی استفاده می‌شود.
به خواندن ادامه دهید
WEBCoolSiC™ 1200 V SiC MOSFET. part. Furthermore, SiC MOSFETs have the benefit of being unipolar devices, and thus enable faster switching than a Si IGBT, and better controllability of switching behavior. This makes the SiC MOSFET a very attractive device. Infineon developed a truly ònormally-off ó SiC MOSFET using trench technology with the ...
به خواندن ادامه دهید
WEBتحقیق ۲۰۴۶ : ساختار و طرز کار ترانزیستور اثر میدانی ( FET & MOSFET ) در مقالات گذشته در مورد نیمه هادی ها و انواع دیود و ترانزیستور مطالبی گفته شد. در ادامه نیاز است که کمی در مورد ترانزیستورهای اثر ...
به خواندن ادامه دهید
WEBدرشکل بالا مداری با استفاده ازترانزیستور ان پی ان مشاهد می کنید، دراین شکل همان مداررا با استفاده از یک ترانزیستــــور پی ان پی می بینید ف همانطـــور که ملاحظه می شود ، دراین مدار ولتاژ 12 ولت ...
به خواندن ادامه دهید
MOSFET می تواند برای کنترل سیگنالها با خود بسیار کاربردی باشد تخته آردوینو، بنابراین ، می تواند به روشی مشابه چگونگی عملکرد ماژول رله، اگر یادت باشه. در حقیقت ، ماژول های MOSFET نیز …
به خواندن ادامه دهید
WEBتئوری و فن آوری ساخت ادوات نیمه هادی نوشته دکتر حسن کاتوزیان ( -۱۳۴۰)، استاد دانشکده مهندسی برق دانشگاه صنعتی امیرکبیر (پلی تکنیک تهران) است. هدف از تألیف این کتاب، آشنایی خوانندگان با زیرساخت ...
به خواندن ادامه دهید
WEBصفحه خانگی قیمت کاربید سیلیکون در هر تن اوهدر ترانزیستورهای نیمه هادی استفاده می شود. ... ولتاژ بالا به عنوان نیمه هادی در بسیاری از عناصر مدار استفاده می شوند. مقاومت ولتاژ SiC ده برابر بیشتر از ...
به خواندن ادامه دهید
WEBFeatures. 3rd generation SiC MOSFET technology. Optimized package with separate driver source pin. 8mm of creepage distance between drain and source. High blocking voltage with low on-resistance. High-speed switching with low capacitances. Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Q. rr)
به خواندن ادامه دهید
WEBدر صنعت، بیشتر از ترانزیستورهای نوع npn استفاده می‌شود. تشخیص نام پایه های ترانزیستور BJT هر ترانزیستور سه پایه یا پین دارد: امیتر (E)، بیس (B) و کلکتور (C).
به خواندن ادامه دهید
WEBThe 1200V MOSFETs are designed for ultra-low RDS (ON) and increased CGS/CGD ratio for improved hard-switching performance. Soft-switching applications can also benefit from the more linear COSS behavior. Pairing Wolfspeed's 1200 V SiC diodes with SiC MOSFETs creates a powerful combination of higher efficiency in demanding …
به خواندن ادامه دهید
WEB4th Generation SiC MOSFET Evaluation Board … ic u2,u102 bm61m41rfv-c driver ic rohm ssop-b10w ic u201 bd450m2wefj-ce2 ldo(5v,0.2a) rohm htsop-j8 ic u51,u151 s-19700a00a-e8 ldo(20v,0.4a) ablic hsop-8a shunt regulator …
به خواندن ادامه دهید
WEBقیمت و خرید انواع ترانزیستور MOSFET و JFET. و هر دو از ترانزیستورهای اثر میدانی هستند. این قطعات نیمه هادی با امپدانس ورودی بالا و امپدانس خروجی کم، جهت تقویت سیگنال ها و نیز سوئیچینگ به کار می ...
به خواندن ادامه دهید
WEBبازدید: ۲۰۷۳. ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی که به اختصار JFET (Junction Field Effect Transistor) نامیده می‌شوند، یک المان نیمه‌رسانای تک قطبی است که دارای سه پایه بوده و با ولتاژ کنترل می‌شود. این نوع ...
به خواندن ادامه دهید
WEBماسفت چیست و چگونه کار میکند ؟. یکی از متداول ترین انواع ترانزیستور FET گیت عایق بندی ایزوله که در بسیاری از مدارهای الکترونیکی مورد استفاده قرار می‌گیرد، ترانزیستور اثر میدانی نیمه هادی ...
به خواندن ادامه دهید
WEBIn [7] the test production of 300A/1200V SiC-MOSFET chips was reported, having the size of 10x10mm² and a specific Ron=5,9mΩcm² @ Vg=15V; Ids=300A, see Figure 17. Even though this is a 2 years old result, it is still (as of Sept.2017) the world's largest size 1200V SiC-MOSFET chip. Figure 17: 300A/1200V SiC-MOSFET chip
به خواندن ادامه دهید
WEBجان باردین نخستین جایزهٔ نوبل خود را برای کشف خاصیت انتقالی (ترانزیستوری) نیمه هادی‌ها گرفت. بیشتر مواد، یا جریان الکتریکی را انتقال می‌دهند (هادی‌ها) یا جلو جریان الکتریکی را می‌گیرند ...
به خواندن ادامه دهید
WEBهنگامی که سیلیکون در معرض هوا قرار می‌گیرد، به‌سرعت لایه‌ی نازکی از سیلیکون‌دی‌اکسید (SiO2) در سطح آن ایجاد می‌شود. لایه‌ی اکسید شده مانند عایقی از سیلیکون خالص در برابر جریان الکتریکی ...
به خواندن ادامه دهید
WEBFeatures. 3rd generation SiC MOSFET technology. Optimized package with separate driver source pin. 8mm of creepage distance between drain and source. High blocking voltage with low on-resistance. High-speed switching with low capacitances. Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Q. rr)
به خواندن ادامه دهید
WEBصفحه خانگی sic mosfet قطعات پوشیدنی خودرو را تولید می کند آموزش کامل قطعات خودرو با تصویر – پایتخت فناوری در صورتی که علاقه مند به یادگیری مکانیکی ماشین هستید، می توانید در دوره های آموزش مکانیک ...
به خواندن ادامه دهید
WEBApr 1, 2020 at 10:00am ET. By: Mark Kane. Cree, one of the market leaders in silicon carbide (SiC) power electronics, introduced new Wolfspeed 650V SiC MOSFETs, which are envisioned for ...
به خواندن ادامه دهید
WEBترانزیستورها، ابزارهای الکترونیکی هستند که در دنیای مدرن از آنها به عنوان سازندگان اصلی مدارهای الکترونیکی و رایانه‌ها استفاده می‌شود. این قطعات نیمه‌هادی، جریان الکتریکی را […]
به خواندن ادامه دهید
WEBعایق حرارتی و انواع آن چیست ؟. عایق حرارتی به ماده ای گفته می شود که مانع از انتقال حرارت از یک محیط به محیط دیگر می شود. گرما همیشه از میحط گرم به محیط سرد منتقل می شود، برای مثال در یک خانه در ...
به خواندن ادامه دهید