- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
WEBترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانای اکسید فلز یا ماسفت (MOSFET)، مقاومت گیت ورودی بسیار بزرگی دارد و جریان گذرنده از کانال بین سورس و درین با ولتاژ گیت کنترل می‌شود. به دلیل امپدانس ورودی و بهره ...
به خواندن ادامه دهید
WEBصفحه خانگی ge sic mosfet عایق حرارتی بسیار کارآمد می سازد عایق حرارتی و انواع آن چیست ؟ عایق حرارتی به ماده ای گفته می شود که مانع از انتقال حرارت از یک محیط به محیط دیگر می شود.
به خواندن ادامه دهید
WEBپرکاربرد ترین ترانزیستور اثر میدان با گیت ایزوله شده، ترانزیستور اکسیدفلز نیمه رسانای اثر میدان یا MOSFET می‌باشد . IGFET یا MOSFET توسط ولتاژ کنترل می‌شوند و بر خلاف ترانزیستورهای JFET دارای الکترود ...
به خواندن ادامه دهید
WEBترانزیستور اثر میدان (Field Effect Transistor) یا FET، از یک ولتاژ برای اعمال به ترمینال ورودی که گیت (Gate) نامیده می‌شود، استفاده می‌کند و جریان گذرنده از آن متناسب با این ولتاژ است. از آن‌جایی که ...
به خواندن ادامه دهید
WEBو این امکان وجود دارد که در نهایت جایگزین ترانزیستورهای PNP و NPN شوند. گفته می شود، هر دو ترانزیستور احتمالاً در دستگاه های پرسرعت و کم مصرف نسل بعدی استفاده می شوند. ترانزیستورهای PNP با ولتاژ ...
به خواندن ادامه دهید
WEBاورجینال یک نوع پاور ترانزیستور (NPN) است که دارای آستانه تحمل ولتاژ 400 ولت و جریان 12 آمپر می باشد. در قسمت زیر دیتاشیت محصول (ترانزیستور MJE13009) بارگذاری شده است : ترانزیستور MJE13009 یک نوع پاور ...
به خواندن ادامه دهید
WEBبازدید: ۲۰۷۳. ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی که به اختصار JFET (Junction Field Effect Transistor) نامیده می‌شوند، یک المان نیمه‌رسانای تک قطبی است که دارای سه پایه بوده و با ولتاژ کنترل می‌شود. این نوع ...
به خواندن ادامه دهید
WEBترانزیستورهای اثر میدانی (FET) : فت ها، یک دستگاه تک قطبی است که معمولاً به عنوان ترانزیستور ماسفت (اثر میدانی فلز-اکسید-نیمه هادی) شناخته می شود و با پین، دروازه، منبع و تخلیه ساخته می شود. این ...
به خواندن ادامه دهید
WEBترانزیستور. 480 بازدید . 3,000 تومان . 3 سال پیش. درترانزیستور های اثر میدانی با نانولوله های کربنی با گیت پشتیبرای نمودار یک نمودار خطی است در حالی که با افزایش از صفر نمودار تبدیل به یک منحنی غیر ...
به خواندن ادامه دهید
WEBزیستی. در زیست‌شناسی و محیط زیست، یک منبع به عنوان ماده‌ای تعریف شده‌است که توسط یک جاندار زنده برای رشد، نگهداری و تولیدمثل طبیعی لازم است (به منابع زیستی مراجعه کنید). منابع اصلی برای ...
به خواندن ادامه دهید
WEBترانزیستورهای اثر میدان، خود به دو دستهٔ ترانزیستور پیوند اثر میدانی (JFET) و ترانزیستور اثر میدان نیمه‌هادیِ اکسید-فلز (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET) که به اختصار به آن ماسفت گفته می‌شود ...
به خواندن ادامه دهید
WEBST SiC MOSFET & Diode product and application. ST 1200V 62mohm SiC Mosfet *4 VS ST 600V 70mohm SI Mosfet *8 drive r Gate drive r Gate drive r Gate drive r Gate drive r Benefits in LLC DC/DC secondary stage 14 DUT P cond_DC/DC [W] P sw_DC/DC [W] P tot _DC/DC [W] Efficiency ST SIC MOS 1200V 70mohm 62.15 48 110.15 98.98 ST SI MOS …
به خواندن ادامه دهید
WEBPerformance and Reliability of SiC Power MOSFETs. Aided by these material advances, in 2011 Cree announced the 1st commercial SiC MOSFET, a 1200 V rated device [7]. Since then, additional product generations, as well … به خواندن ادامه دهید
به خواندن ادامه دهید
WEBمنبع جریان ثابتFET از JFET ها و MOSFET ها برای ارائه جریان باری استفاده می‌کنند که علیرغم تغییر در مقاومت بار یا ولتاژ تغذیه ثابت می‌ماند. منبع جریان ثابت FET نوعی مدار فعال است که از ترانزیستور اثر ...
به خواندن ادامه دهید
WEBتقویت کننده MOSFET مثال 1. یک تقویت کننده MOSFET سورس مشترک با استفاده از eMOSFET کانال n که دارای پارامتر هدایت ۵۰mA/V ۲ و ولتاژ آستانه ۲/۰V است، ساخته می‌شود. اگر ولتاژ منبع تغذیه +۱۵V و مقاومت بار ۴۷۰Ω ...
به خواندن ادامه دهید
WEB900V SiC MOSFET to 650V Si • Lower positive temperature coefficient than Si superjunction MOSFET – 10mΩat 25°C increases to ~ 14mΩat 150°C for 900V SiC MOSFET – 17mΩat 25°C increases to ~ 41mΩat 150°C for 650V Si MOSFET • No knee voltage as found in IGBT 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45. به خواندن ادامه دهید
به خواندن ادامه دهید
WEBCree C3M0120090D SiC MOSFET. Silicon Carbide Power MOSFET C3M TM MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode Features • C3M SiC MOSFET technology ... Note (3): Turn-off and Turn-on switching energy and timing values measured using SiC MOSFET Body Diode. 3 C3M0120090D Rev. 2 10-2020 Figure 2.
به خواندن ادامه دهید
WEBلیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد.
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانای اکسید فلز یا ماسفت (MOSFET)، مقاومت گیت ورودی بسیار بزرگی دارد و جریان گذرنده از کانال بین سورس و درین با ولتاژ گیت کنترل می‌شود. به دلیل امپدانس ورودی …
به خواندن ادامه دهید
WEBبهبود راندمان سوئیچینگ FET های SiC با استفاده از اتصالات کلوین. دستگاه‌های باندگپ گسترده مانند کاربید سیلیکون (SiC) ترانزیستورهایی را فعال می‌کنند که می‌توانند چگالی توان بالا را حفظ کنند، اما ...
به خواندن ادامه دهید
WEBدر ترانزیستورهای jfet هدایت انتقالی بسیار بیشتر از مقدار این مولفه در ترانزیستورهای mosfet می باشد. یه همین سبب می باشد که از این ترانزیستورها در شرایط با آمپدانس بالا و نویز پایین استفاده می کنند.
به خواندن ادامه دهید
WEBبا استفاده از kvl روی ماسفت، ولتاژ درین-سورس ($$v_{ds}$$) به صورت زیر به دست می‌آید: 4. مقاومت منبع ($$r_s$$): نسبت ترانزیستورهای مقسم r1 و r2 برای آنکه ولتاژ گیت 1/3 ولتاژ تغذیه باشد، به صورت زیر است:
به خواندن ادامه دهید
WEBموارد بیشتر برای شما ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی تصویر: نموداری که نشان می دهد یک نانولوله کربنی اساساً گرافنِ پیچیده شده است. ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی (carbon nanotube field-effect transistor (CNTFET)) یک ترانزیستور اثر ...
به خواندن ادامه دهید
WEBانواع ترانزیستورهای اثر میدانی fet و mosfet و jfet در این شاخه قرار دارند ... انواع ترانزیستورهای اثر میدانی fet و mosfet و jfet در این شاخه قرار دارند ... ضمن عرض تبریک به مناسبت فرارسیدن سال نو ،به اطلاع ...
به خواندن ادامه دهید
WEBComparing the Best MOSFETs for Power Electronics. best mosfets. MOSFETs are some of the most important components involved in stable power delivery, fast switching, and low loss in a range of … به خواندن ادامه دهید
به خواندن ادامه دهید
WEBشبیه سازی جریان سیال اطراف پیگ متحرک در لوله با استفاده از دینامیک سیالات محاسباتی از خطوط لوله برای انتقال انواع محصولات، خصوصاً در صنعت نفت و گاز استفاده می شود.
به خواندن ادامه دهید
WEB3 Gate-oxide reliability of industrial SiC MOSFETs – FIT rates and lifetime . 3.1 Introduction to gate oxide reliability for SiC MOSFETs . High numbers of early gate-oxide failures have hampered the commercialization of SiC MOSFETs for many years, and provoked skepticism whether SiC MOS switches would ever be as reliable as their Si counterparts.
به خواندن ادامه دهید
WEBRDS(on) vs. inductance: comparison of SiC MOSFETs in … Three versions of Wolfspeed's third generation SiC MOSFET (C3M0065090J 7pin D2Pak, C3M0065090D 3pin TO-247 and C3M0065100 K 4pin TO-247) and the Infineon SiC MOSFET (IMZ120R045M1 4pin TO-247), ... The required gate driver power of the Infineon MOSFET could be reduced …
به خواندن ادامه دهید
WEBTo address aforementioned issues, in this paper, a parameters calibration method for SiC MOSFETs behavioural model is proposed on the basis of parameter's sensitive analysis. The analysis shows that the sensitivity of the parameters affecting the SiC MOSFET behaviour model in sequence are C gd, C gs, V th, R g,int, g f, L d, L S,C …
به خواندن ادامه دهید
WEBترانزیستورهای اثر میدان نوع دیگری از ترانزیستور ها هستند که عموماً به ماسفِت -MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) شناخته می شوند که از پین (pin)، گیت (gate)، سورس …
به خواندن ادامه دهید