- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
WEBThe emergence of medium-voltage silicon carbide (SiC) power semiconductor devices, in ranges of 10–15 kV, has led to the development of simple two-level converter systems for medium-voltage applications. A medium-voltage mobile utility support equipment-based three-phase solid state transformer (MUSE-SST) system, based on Gen3 10 kV SiC …
به خواندن ادامه دهید
WEBپردازش تصویر کاربردهایی گسترده در حوزه پژوهش‌های پزشکی دارد و باعث شده پزشکان قادر به درمان بهینه‌تر و دقیق‌تر بیماران باشند. برای مثال از این تکنولوژی می‌شود در تشخیص زودهنگام سرطان ...
به خواندن ادامه دهید
WEBThe module has a power-loop inductance of 16 nH, and a power density of 4.2 W/mm3 [15]; though, to date, few details have been published on the module design. This work …
به خواندن ادامه دهید
WEBigfet که با نام mosfet یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه رسانای اکسید-فلز یا به اختصار ترانزیستور ماسفت نیز شناخته می شود، نوع دیگری از ترانزیستور اثر میدانی (fet) است که ورودی یا گیت آنها از نظر الکتریکی نسبت به کانالی که جریان را ...
به خواندن ادامه دهید
WEBThe module has a power-loop inductance of 16 nH, and a power density of 4.2 W/mm3 [15]; though, to date, few details have been published on the module design. This work will present the detailed ...
به خواندن ادامه دهید
WEBHV SiC FETs approaches the SiC limit HV SiC FETs have low condution losses Beware: MV bipolar devices (SiC IGBTS) are even better [Rothmund, IEEE JESTPE, 2018] Side …
به خواندن ادامه دهید
WEBاستفاده از Floating Gate MOSFET بعنوان سنسور تشخیص گازها محل انتشار: دومین کنفرانس ملی توسعه دانش بنیان صنایع نفت، گاز و پتروشیمی و ششمین کنفرانس روز مهندسی پتروشیمی بندر امام
به خواندن ادامه دهید
WEBState University of New York (SUNY) Polytechnic Institute says that associate professor of nanoengineering Dr Woongje Sung has been selected to receive $2,078,000 in total federal funding over three years from the US Army Research Laboratory (ARL) for advancing 'MUSiC' (the Manufacturing of Ultra-high-voltage Silicon Carbide …
به خواندن ادامه دهید
WEBآبکاری — به زبان ساده. «آبکاری» (Electroplating)، فرآیند اندود کردن یک فلز بر روی فلز دیگر به کمک هیدرولیز است. از این فرآیند در لوازم تزئینی یا جلوگیری از خوردگی فلزات استفاده می‌شود. همچنین انواع ...
به خواندن ادامه دهید
WEBHigh-density packaging of fast-switching power semiconductors typically requires low thermal resistance and parasitic inductance. High-density packaging of high-voltage semiconductors, such as 10 kV SiC MOSFETs, has the added challenge of maintaining low electric field concentration in order to prevent premature dielectric breakdown. This work …
به خواندن ادامه دهید
WEBProper voltage sharing among series-connected power MOSFETs is important for reliable operation and particularly crucial under short circuit stress. An uneven voltage sharing may result in an early failure of the more stressed MOSFET. In this paper, for the first time, the short circuit behavior of the series-connected 10 kV SiC MOSFETs is investigated and …
به خواندن ادامه دهید
WEBداده‌های پردازش شده برای اینکه بتوانند برای تصمیم‌گیری مفید واقع شوند، باید با معیارهای زیر مطابقت داشته باشند. دقت (Accuracy): اطلاعات باید دقیق باشند. کامل بودن (Completeness): اطلاعات باید کامل باشند.
به خواندن ادامه دهید
WEBThe short-circuit capability of a power device is highly relevant for converter design and fault protection. In this paper a 10kV 10A 4H-SiC MOSFET is characterized and its short circuit withstand capability is studied and analyzed at 6 kV DC-link voltage. The test setup for this study is also introduced as its design, especially the inductance in the …
به خواندن ادامه دهید
WEBآلفا سیلیکون کاربید (α-SiC) شایع ترین پلی مورف است و در دمای بیش از ۱۷۰۰ درجه سانتی گراد تشکیل شده و دارای ساختار بلوری شش ضلعی (مشابه ورتزیت) است. اصلاح بتا (β-SiC)، با ساختار بلوری روی (شبیه الماس ...
به خواندن ادامه دهید
WEB1. I agree, it is quite complicated to get a good voltage distribution across all MOSFETs during turn-on and turn-off. Furthermore 10 kV is high voltage and one needs to be extremely careful with such voltage levels, which can be deadly. – Ken Grimes.
به خواندن ادامه دهید
WEBA Si IGBT and a series connection of two 1.7 kV / 325 A SiC MOSFETs from a third party in a 4.16 kV modular multi-level converter revealed significant benefits of the 3.3-kV SiC MOSFETs. In general, the 3.3-kV SiC MOSFETs reduced losses and enabled a smaller installed semiconductor die area, improving the power
به خواندن ادامه دهید
WEBدانشگاه امیرکبیر- کامسول یار - دانلود رایگان فایل پروژه با توضیحات فارسی- مثال و تمرین های آماده شبیه سازی نرم افزار کامسول comsol - ماژول الکترومغناطیس - الکترومغناطیس AC/DC - رادیو فرکانس R - نوری Wave Optics - پرتوی اپتیک Ray Optics ...
به خواندن ادامه دهید
WEBThe poor body diode performance of the first generation of 10kV SiC MOSFETs and the parasitic turn-on phenomenon limit the performance of SiC based converters. Both these problems can potentially be mitigated using a split output topology. In this paper we present a comparison between a classical half bridge and a split-output power module. It is …
به خواندن ادامه دهید
WEBMOSFET مخفف Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor (ترانزیستور اثر میدانی فلز-اکسید-نیمه هادی) است. ساختار ساده شده ماسفت در شکل زیر نشان داده شده است: یک لایه اکسید نازک روی سطح ویفر سیلیکونی رشد کرده است که ...
به خواندن ادامه دهید
WEBMOSFETs or IGBTs are no longer suitable for 10kV SiC MOSFET, since the higher input voltage makes the auxiliary circuit design more difficult. Consequently, the
به خواندن ادامه دهید
WEBAbstract: This paper presents the characterization of the temperature-dependent short-circuit performance of a Gen3 10 kV/20 A silicon carbide (SiC) mosfet. The test platform consisting of a phase-leg configuration and a fast speed 10-kV solid state circuit breaker, with temperature control, is introduced in detail.
به خواندن ادامه دهید
WEBبیشترین کاربرد آن تولید فلز و پلاستیک است. اصولاً تراشکاری cnc یک فرآیند تولید است. نرم افزار کامپیوتری از قبل برنامه ریزی شده است تا به دستگاه بگوید چگونه ابزار و ماشین آلات کارخانه را جابجا کند.
به خواندن ادامه دهید
WEBدر بین موارد یاد شده، فولاد d2 برای ساخت چاقو بسیار مناسب است. برای جلوگیری از زنگ زدگی تیغه فولادی هم در صورت امکان و با در نظر گرفتن هزینه، می توان از پوشش تیتانیم بر روی تیغه فولادی استفاده ...
به خواندن ادامه دهید
WEBA 5 kV-input power extracting converter based on a voltage-balanced SiC MOSFET stack is constructed to self-power the gate driver, which exhibits simplification …
به خواندن ادامه دهید
WEBThis paper presents the characterization of the temperature-dependent short-circuit performance of a Gen3 10 kV/20 A silicon carbide (SiC) mosfet. The test …
به خواندن ادامه دهید
WEBپردازش داده (Data Processing) به چه معناست؟. پردازش داده چیست؟. به زبان ساده جمع‌آوری، تحلیل و بررسی داده‌های جمع‌آوری شده برای هدف مورد نظر است. این روش حجم عظیمی از داده‌های جمع‌آوری شده را به ...
به خواندن ادامه دهید
WEBUsing the validated MOSFET SPICE model, a 20-kHz 370-W dc/dc boost converter based on a 10-kV 4H-SiC DMOSFET and diodes is designed and …
به خواندن ادامه دهید
WEBتصور غلط دیگری که وجود دارد، این است که طلای خالص بهترین رسانای الکتریسیته است. باوجود اینکه طلا نرخ رسانایی بسیار بالایی دارد، اما باز هم نسبت به مس کمتر رسانا است. مورد بعد، فلز آهن است.
به خواندن ادامه دهید
WEBنقطه ی همجوشی بالای آن باعث شده است تا توسط سیلیسیم ریخته گری در تمامی دماها به خوبی انجام شود و آلیاژهای مختلفی تولید شود. همچنین این عنصر حباب های اکسیژن را از فلز مذاب خارج می کند.
به خواندن ادامه دهید
WEBThe short-circuit behavior of power devices is highly relevant for converter design and fault protection. In this paper, the degradation during short circuit of a 10-kV 10-A 4H-SiC MOSFET is investigated at 6 kV dc-link voltage. The study aims to present the behavior of the device during short-circuit transients as it sustains increasing short …
به خواندن ادامه دهید