- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
مشابه ترانزیستور دوقطبی اثر میدان، از JFETهای با پیکربندی سورس مشترک نیز می‌توان برای ساختن مدار تقویت کننده کلاس Aنیز استفاده کرد که بسیار شبیه به مدار امیتر مشترک BJT است. مزیت اصلی تقویت کننده‌های JFET نسبت به BJT، امپدانس ورودی بالای …
به خواندن ادامه دهید
WEBOur selection of CoolSiC™ Silicon Carbide MOSFET power modules are available in different configurations such as 3-level, half-bridge, fourpack, sixpack, or as booster, the 1200 V and 2000 V SiC MOSFET modules offer a superior gate-oxide reliability enabled by state-of-the-art trench design, best-in-class switching and conduction losses.
به خواندن ادامه دهید
WEBfrom Infineon. It takes full advantage of the clearly demon-Figure 3: Simplified classic PFC circuit diagram with a bypass diode strated benefits of SiC over silicon. Built around a proprietary innovative soldering process pio-neered by Infineon, it in-cludes features such as a compact design, thin-wafer technology, and a new Schottky metal sys ...
به خواندن ادامه دهید
WEBResonac and Infineon Technologies Strengthen Cooperation in SiC. Infineon's SiC manufacturing capacity is about to increase tenfold by 2027. A new plant in Kulim is scheduled to start production in 2024. Today, Infineon already provides SiC semiconductors to more than 3,600 customers worldwide. About Infineon Further …
به خواندن ادامه دهید
WEB4th Generation SiC MOSFET Evaluation Board … ic u2,u102 bm61m41rfv-c driver ic rohm ssop-b10w ic u201 bd450m2wefj-ce2 ldo(5v,0.2a) rohm htsop-j8 ic u51,u151 s-19700a00a-e8 ldo(20v,0.4a) ablic hsop-8a shunt regulator …
به خواندن ادامه دهید
WEBاز ترانزیستورها در اندازه‌های کوچک و انواع گسسته، می‌توان برای ساخت سوئیچ‌های الکترونیکی ساده، منطق دیجیتال و مدارهای تقویت‌کننده سیگنال استفاده کرد. هزاران، میلیون‌ها و حتی میلیاردها ترانزیستور در کنار یکدیگر ...
به خواندن ادامه دهید
WEBچکیده مقاله ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی: بررسی مزایا، چالش ها و کاربردها. امروزه با توجه به نیاز روز افزون افزایشی به تراشه هایی با ابعاد کوچکتر استفاده از ترانزیستورها در ابعاد ...
به خواندن ادامه دهید
WEBدر محیط های کنترل صنعتی و روباتیک و همچنین طراحی مدار چاپر (chopper circuit) از ماسفت ها استفاده می شود. انواع ماسفت ها ماسفت ها به طور کلی بسته به شیمی و کاربردشان به چند دسته تقسیم می‌شوند.
به خواندن ادامه دهید
WEBInfineon Technologies AG is a global semiconductor leader in power systems and IoT. Infineon drives decarbonization and digitalization with its products and solutions. The company has around 58,600 employees worldwide and generated revenue of about €16.3 billion in the 2023 fiscal year (ending 30 September).
به خواندن ادامه دهید
WEBThe switching behavior is different for a few of the SiC MOSFETs, such as CAS300M12BM2 from Cree Inc. As shown in Fig. 1(c) and Fig. 1(d), SiC MOSFETs exhibit a non-flat gate-plateau voltage region, with V gs increasing from V p1 to V p2, while V ds reduces to V ds(on) during turn-on, and vice-versa during turn-off, which makes it difficult
به خواندن ادامه دهید
WEBدر جلسه‌ی پرسش‌و‌پاسخی که پس از سخنرانی برگزار شد، میبری ادعا کرد تولید انبوه ترانزیستورهای نانوسیم (Nanowire) را تا پنج سال آینده ممکن می‌دادند. پیش‌بینی او به‌نوعی هدفی ملموس برای اینتل و ...
به خواندن ادامه دهید
WEBonsemi Silicon Carbide Technology Enables All. MUNICH – Nov. 14, 2022 – onsemi (Nasdaq: ON), a leader in intelligent power and sensing technologies, today announced that Mercedes-Benz adopted onsemi silicon carbide (SiC) technology for traction inverters as part of a strategic collaboration. onsemi's VE-Trac SiC modules increase the efficiency …
به خواندن ادامه دهید
WEBas a polytype of SiC. Hence, SiC is a classical polytypic substance existing in more than 250 polytypes [14,15]. The most common research polytypes for SiC devices are 6H-SiC, 4H-SIC, and 3C-SiC. The crystal structures of 4H, 6H, and 3C SiC polytypes are shown in Figure1[16]. Among the polytypes, 6H-SiC and 4H-SiC are the most …
به خواندن ادامه دهید
WEBpart. Furthermore, SiC MOSFETs have the benefit of being unipolar devices, and thus enable faster switching than a Si IGBT, and better controllability of switching behavior. This makes the SiC MOSFET a very attractive device. Infineon developed a truly ònormally-off ó SiC MOSFET using trench technology with the trade mark name CoolSiC™ MOSFET.
به خواندن ادامه دهید
WEBدر ترانزیستورهای پیوند اثر میدانی (JFET)، با اعمال ولتاژ به پایه گِیت، میزان جریان میان دوپایه سورس و دِرِین کنترل می‌شود. ترانزیستور اثر میدانی به دو نوع تقسیم می‌شود: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type.
به خواندن ادامه دهید
WEBThe investment will lead to an annual SiC revenue potential of about seven billion euros by the end of the decade, together with the planned 200-millimeter SiC conversion of Villach and Kulim. This highly competitive manufacturing base will support Infineon's SiC market share target of 30% towards the end of the decade.
به خواندن ادامه دهید
WEBپارس زنجیر SHT. پارس زنجیر sht 220 ، محصول شرکت نفت پارس می باشد كه جهت روانکاری قطعات متحرک مثل یاتاقان های متحرک نقاله ها و یا زنجیرهای متحرک کوره های پخت، که تحت شرایط عملیاتی با دماهای خیلی بالا مي‌باشند، تولید گردیده است.
به خواندن ادامه دهید
WEBنانومواد. نانوفناوری، توانمندی تولید و ساخت مواد، ابزار و سیستم‌های جدید با در دست گرفتن کنترل در مقیاس نانومتری یا همان سطوح اتمی و مولکولی، و استفاده از خواصی است که در این سطوح ظاهر می‌شوند.
به خواندن ادامه دهید
WEBهمچنین از ترانزیستورها در مدارات دیجیتال بعنوان یک سوئیچ الکترونیکی استفاده می‌شود، اما به ندرت به صورت یک قطعه جدا، بلکه به صورت بهم پیوسته در مدارات مجتمع یکپارچه بکار می‌روند.
به خواندن ادامه دهید
WEBDecades of application expertise and technology development at both Infineon and International Rectifier have produced a portfolio of gate driver ICs for use with silicon and wide-bandgap power devices, such as MOSFETs, discrete IGBTs, IGBT modules, SiC MOSFETs and GaN HEMTs.We offer excellent product families of galvanic isolated gate …
به خواندن ادامه دهید
WEBصفحه خانگی ویفر wolfspee sic نمونه رایگان Wolfspeed Selects North Carolina for World's Largest Silicon … DURHAM, N.C.--(BUSINESS WIRE)-- Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF), the global leader in Silicon Carbide technology, today announced it will build a new, state-of-the-art, multi-billion-dollar Materials manufacturing ...
به خواندن ادامه دهید
WEBT R Development of SiC-MOSFET Chip Technology. to the physical properties of SiC, the electric field intensity in SiC chips unavoidably tends to increase; in particular, the intensity of the electric field to be applied to the gate oxide at the trench bottom becomes high. Therefore, SiC-MOSFETs require special consideration, unlike Si trench ...
به خواندن ادامه دهید
WEBترانزیستورهای دوقطبی (ترانزیستورهای پیوند دوقطبی بی جی تی BJT) : این قطعه نوعی ترانزیستور است که از الکترون ها و حفره ها به عنوان حامل بار استفاده می کند. دو نوع ترانزیستور دوقطبی تولید می شود ...
به خواندن ادامه دهید
WEBHexoloy ® SE tubes are available in 12.7 mm, 14 mm, and 19 mm outside diameter and lengths up to 5 m. Each tube is proof tested up to 186 bars (2700 psi). Hexoloy ® SA SiC tube sheets are also available as per OEM design. Saint Gobain Ceramics has sold more than one million meter of heat exchanger tubes. به خواندن ادامه دهید
به خواندن ادامه دهید
WEBترانزیستورهای اثر میدان نوع دیگری از ترانزیستور ها هستند که عموماً به ماسفِت -MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) شناخته می شوند که از پین (pin)، گیت (gate)، سورس …
به خواندن ادامه دهید
WEBjunction gate field-effect transistor یا (JUGFET یا JFET) به گونه‌ای از ترانزیستورهای اثر میدان گفته می‌شود که از یک کانال عبور و یک گیت تشکیل شده‌اند. دو پایه درین (Drain) و سورس (Source) با اتصال اهمی به دو طرف کانال ...
به خواندن ادامه دهید
WEBInfineon's CoolSiC™ trench based silicon carbide power MOSFETs represent a dramatic improvement in power conversion switching device Figure Of Merit (FOM) values with outstanding system performance. This enables higher efficiency, power density and reduced system cost in many applications. This technology can also be considered as …
به خواندن ادامه دهید
WEBThe Evaluation Board EVAL-1EDC20H12AH-SIC is intended to evaluate the Infineon EiceDRIVER ™ 1EDC20H12AH or 1EDI20H12AH together with the Infineon SiC MOSFET IMZ120R045M1 in an application circuit to understand the features and performance of both devices. The board contains two gate drivers to drive two SiC MOSFET switches in half …
به خواندن ادامه دهید
WEBترانزیستور اثر میدان یا فِت ، دسته‌ای از ترانزیستورها هستند که مبنای کار کنترل جریان، در آن‌ها توسط یک میدان الکتریکی صورت می‌گیرد. با توجه به این‌که در این ترانزیستورها تنها یک نوع حامل ...
به خواندن ادامه دهید
WEBدر آموزش مربوط به دیودها دیدیم که دیودهای ساده از دو ماده نیمه‌رسانا تشکیل می‌شوند و یک پیوند PN را می‌سازند. همچنین با ویژگی‌ها و مشخصه‌های این دیودها آشنا شدیم. حال اگر دو دیود سیگنال مجزا را به صورت پشت به پشت (Back-to ...
به خواندن ادامه دهید